Transistorer - bipolar (BJT) - RF | Diskrete halvlederprodukter | 41

BFP460E6327HTSA1

Dele Stock.: 7097

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.8V, Frekvens - Overgang: 22GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz, Gevinst: 12.5dB ~ 26.5dB, Effekt - maks: 230mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP 182 E7764

Dele Stock.: 4765

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 22dB, Effekt - maks: 250mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR 360F E6327

Dele Stock.: 7063

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Gevinst: 15.5dB, Effekt - maks: 210mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP 640 H6433

Dele Stock.: 7120

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 40GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 24dB, Effekt - maks: 200mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP460E6433HTMA1

Dele Stock.: 7064

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.8V, Frekvens - Overgang: 22GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz, Gevinst: 12.5dB ~ 26.5dB, Effekt - maks: 230mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP 420F E6327

Dele Stock.: 7083

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gevinst: 19.5dB, Effekt - maks: 160mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR 705L3RH E6327

Dele Stock.: 7100

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 39GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Gevinst: 25dB, Effekt - maks: 40mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFS 360L6 E6327

Dele Stock.: 7094

Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gevinst: 10dB ~ 14.5dB, Effekt - maks: 210mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFS17WE6327HTSA1

Dele Stock.: 7037

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 1.4GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz, Effekt - maks: 280mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFS17SE6327HTSA1

Dele Stock.: 7076

Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 1.4GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz, Effekt - maks: 280mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR183E6327HTSA1

Dele Stock.: 24334

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 17.5dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP540FESDH6327XTSA1

Dele Stock.: 186845

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 30GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Gevinst: 20dB, Effekt - maks: 250mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP183WH6327XTSA1

Dele Stock.: 178582

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 22dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFS483H6327XTSA1

Dele Stock.: 110689

Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 19dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR182E6327HTSA1

Dele Stock.: 24318

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 12dB ~ 18dB, Effekt - maks: 250mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP183E7764HTSA1

Dele Stock.: 25816

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 22dB, Effekt - maks: 250mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFS481H6327XTSA1

Dele Stock.: 192818

Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 20dB, Effekt - maks: 175mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP650H6327XTSA1

Dele Stock.: 196865

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 37GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 21.5dB, Effekt - maks: 500mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR740L3RHE6327XTSA1

Dele Stock.: 32341

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 42GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Gevinst: 24.5dB, Effekt - maks: 160mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP650FH6327XTSA1

Dele Stock.: 174279

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 42GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 11dB ~ 21.5dB, Effekt - maks: 500mW,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

BF959RL1

Dele Stock.: 5498

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 700MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Effekt - maks: 625mW,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

BF959

Dele Stock.: 4730

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 700MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Effekt - maks: 625mW,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

BF959ZL1

Dele Stock.: 7111

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 700MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Effekt - maks: 625mW,

Til ønskeliste

NXP USA Inc.

BFG403W,115

Dele Stock.: 7054

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 17GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz, Gevinst: 20dB ~ 22dB, Effekt - maks: 16mW,

Til ønskeliste

NXP USA Inc.

BFG310W/XR,115

Dele Stock.: 4787

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz, Gevinst: 18dB, Effekt - maks: 60mW,

Til ønskeliste

NXP USA Inc.

BFG425W,115

Dele Stock.: 7017

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Gevinst: 20dB, Effekt - maks: 135mW,

Til ønskeliste

NXP USA Inc.

BFG31,115

Dele Stock.: 7034

Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Effekt - maks: 1W,

Til ønskeliste

NXP USA Inc.

BFR520T,115

Dele Stock.: 7034

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Effekt - maks: 150mW,

Til ønskeliste

NXP USA Inc.

BFG505/X,215

Dele Stock.: 7042

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 150mW,

Til ønskeliste

NXP USA Inc.

BFG540W,115

Dele Stock.: 7042

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz, Effekt - maks: 500mW,

Til ønskeliste

NXP USA Inc.

BFU550WX

Dele Stock.: 153806

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 11GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Gevinst: 18dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste

NXP USA Inc.

BLT81,115

Dele Stock.: 84249

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V, Frekvens - Overgang: 900MHz, Gevinst: 8dB, Effekt - maks: 2W,

Til ønskeliste

NXP USA Inc.

BFU730LXZ

Dele Stock.: 173800

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V, Frekvens - Overgang: 53GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz, Gevinst: 15.8dB, Effekt - maks: 160mW,

Til ønskeliste

NXP USA Inc.

BFU725F/N1,115

Dele Stock.: 126922

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V, Frekvens - Overgang: 55GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz, Gevinst: 10dB ~ 24dB, Effekt - maks: 136mW,

Til ønskeliste

NXP USA Inc.

BFU530AR

Dele Stock.: 195287

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 11GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Gevinst: 18dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste

NXP USA Inc.

BFU520WX

Dele Stock.: 172356

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Gevinst: 18.5dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste