Menu
DanskDansk
Rfqs / order.
0Rfqs / order.

Transistorer - programmerbar unijunction

2N6027
Central Semiconductor Corp

2N6027

Dele Stock.: 76016

Spænding: 40V, Effektdissipation (maks.): 300mW, Spænding - udgang: 6V, Spænding - Offset (Vt): 1.6V, Nuværende - Gate til anodelækage (Igao): 10nA, Nuværende - Valley (Iv): 50µA,

Til ønskeliste
2N6028
Central Semiconductor Corp

2N6028

Dele Stock.: 75982

Spænding: 40V, Effektdissipation (maks.): 300mW, Spænding - udgang: 6V, Spænding - Offset (Vt): 600mV, Nuværende - Gate til anodelækage (Igao): 10nA, Nuværende - Valley (Iv): 25µA,

Til ønskeliste
CMPP6028 TR
Central Semiconductor Corp

CMPP6028 TR

Dele Stock.: 54052

Spænding: 40V, Effektdissipation (maks.): 167mW, Spænding - udgang: 6V, Spænding - Offset (Vt): 600mV, Nuværende - Gate til anodelækage (Igao): 10nA, Nuværende - Valley (Iv): 25µA,

Til ønskeliste
2N6028RLRMG
ON Semiconductor

2N6028RLRMG

Dele Stock.: 2509

Spænding: 40V, Effektdissipation (maks.): 300mW, Spænding - udgang: 11V, Spænding - Offset (Vt): 600mV, Nuværende - Gate til anodelækage (Igao): 10nA, Nuværende - Valley (Iv): 25µA,

Til ønskeliste
2N6028RLRPG
ON Semiconductor

2N6028RLRPG

Dele Stock.: 2537

Spænding: 40V, Effektdissipation (maks.): 300mW, Spænding - udgang: 11V, Spænding - Offset (Vt): 600mV, Nuværende - Gate til anodelækage (Igao): 10nA, Nuværende - Valley (Iv): 25µA,

Til ønskeliste
2N6027RL1G
ON Semiconductor

2N6027RL1G

Dele Stock.: 2538

Spænding: 40V, Effektdissipation (maks.): 300mW, Spænding - udgang: 11V, Spænding - Offset (Vt): 1.6V, Nuværende - Gate til anodelækage (Igao): 10nA, Nuværende - Valley (Iv): 50µA,

Til ønskeliste
2N6028RLRP
ON Semiconductor

2N6028RLRP

Dele Stock.: 2531

Spænding: 40V, Effektdissipation (maks.): 300mW, Spænding - udgang: 11V, Spænding - Offset (Vt): 600mV, Nuværende - Gate til anodelækage (Igao): 10nA, Nuværende - Valley (Iv): 25µA,

Til ønskeliste
2N6027RL1
ON Semiconductor

2N6027RL1

Dele Stock.: 2482

Spænding: 40V, Effektdissipation (maks.): 300mW, Spænding - udgang: 11V, Spænding - Offset (Vt): 1.6V, Nuværende - Gate til anodelækage (Igao): 10nA, Nuværende - Valley (Iv): 50µA,

Til ønskeliste
2N6028G
ON Semiconductor

2N6028G

Dele Stock.: 2534

Spænding: 40V, Effektdissipation (maks.): 300mW, Spænding - udgang: 11V, Spænding - Offset (Vt): 600mV, Nuværende - Gate til anodelækage (Igao): 10nA, Nuværende - Valley (Iv): 25µA,

Til ønskeliste
2N6027G
ON Semiconductor

2N6027G

Dele Stock.: 2493

Spænding: 40V, Effektdissipation (maks.): 300mW, Spænding - udgang: 11V, Spænding - Offset (Vt): 1.6V, Nuværende - Gate til anodelækage (Igao): 10nA, Nuværende - Valley (Iv): 50µA,

Til ønskeliste
2N6028RLRAG
ON Semiconductor

2N6028RLRAG

Dele Stock.: 2505

Spænding: 40V, Effektdissipation (maks.): 300mW, Spænding - udgang: 11V, Spænding - Offset (Vt): 600mV, Nuværende - Gate til anodelækage (Igao): 10nA, Nuværende - Valley (Iv): 25µA,

Til ønskeliste
2N6027RLRAG
ON Semiconductor

2N6027RLRAG

Dele Stock.: 2518

Spænding: 40V, Effektdissipation (maks.): 300mW, Spænding - udgang: 11V, Spænding - Offset (Vt): 1.6V, Nuværende - Gate til anodelækage (Igao): 10nA, Nuværende - Valley (Iv): 50µA,

Til ønskeliste
2N6028RLRA
ON Semiconductor

2N6028RLRA

Dele Stock.: 2522

Spænding: 40V, Effektdissipation (maks.): 300mW, Spænding - udgang: 11V, Spænding - Offset (Vt): 600mV, Nuværende - Gate til anodelækage (Igao): 10nA, Nuværende - Valley (Iv): 25µA,

Til ønskeliste
2N6027RLRA
ON Semiconductor

2N6027RLRA

Dele Stock.: 2457

Spænding: 40V, Effektdissipation (maks.): 300mW, Spænding - udgang: 11V, Spænding - Offset (Vt): 1.6V, Nuværende - Gate til anodelækage (Igao): 10nA, Nuværende - Valley (Iv): 50µA,

Til ønskeliste