Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Frekvens - Overgang: 225MHz ~ 400MHz, Gevinst: 13dB, Effekt - maks: 11W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V, Frekvens - Overgang: 960MHz ~ 1.215GHz, Gevinst: 7dB ~ 8.2dB, Effekt - maks: 220W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V, Frekvens - Overgang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 10W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz, Gevinst: 13dB ~ 15.5dB, Effekt - maks: 1.25W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Frekvens - Overgang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gevinst: 9dB ~ 10dB, Effekt - maks: 2500W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V, Frekvens - Overgang: 450MHz ~ 512MHz, Gevinst: 10dB, Effekt - maks: 5W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Frekvens - Overgang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gevinst: 8dB, Effekt - maks: 400W,
Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Frekvens - Overgang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gevinst: 8.4dB, Effekt - maks: 220W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Frekvens - Overgang: 1.03GHz, Gevinst: 10dB ~ 10.5dB, Effekt - maks: 3400W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, Frekvens - Overgang: 150MHz, Gevinst: 10dB, Effekt - maks: 10W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Frekvens - Overgang: 1.03GHz, Gevinst: 10.2dBd, Effekt - maks: 2095W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Gevinst: 13dB ~ 15.5dB, Effekt - maks: 1.25W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, Frekvens - Overgang: 175MHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 34W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Frekvens - Overgang: 1.09GHz, Gevinst: 8dB, Effekt - maks: 880W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 13dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 11GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1GHz, Gevinst: 13.5dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2.3dB @ 1GHz, Gevinst: 8.3dB, Effekt - maks: 1.8W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Gevinst: 7dB ~ 10dB, Effekt - maks: 130mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 11.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 700mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz, Gevinst: 10.5dB, Effekt - maks: 1W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Gevinst: 7.5dB, Effekt - maks: 30W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V, Gevinst: 9.5dB, Effekt - maks: 30W,
Transistortype: 5 NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.25dB @ 1kHz, Effekt - maks: 750mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 800MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Gevinst: 24dB, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Gevinst: 17dB, Effekt - maks: 120mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V, Frekvens - Overgang: 16GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 17.5dB, Effekt - maks: 400mW,
Transistortype: 6 NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Gevinst: 12.4dB ~ 17.5dB, Effekt - maks: 250mW,