Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Frekvens - Overgang: 650MHz, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V, Frekvens - Overgang: 24GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gevinst: 17dB, Effekt - maks: 50mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.5GHz, Gevinst: 10dB @ 1.5GHz, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6.7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gevinst: 11dB, Effekt - maks: 800mW,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Effekt - maks: 225mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V, Frekvens - Overgang: 16GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 13.5dB, Effekt - maks: 700mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 14dB @ 1GHz, Effekt - maks: 700mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 2GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Gevinst: 15dB, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 24V, Frekvens - Overgang: 470MHz ~ 860MHz, Gevinst: 11dB, Effekt - maks: 8W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Frekvens - Overgang: 1.03GHz, Gevinst: 8.9dB, Effekt - maks: 8750W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Frekvens - Overgang: 960MHz ~ 1.215GHz, Gevinst: 6.2db ~ 7dB, Effekt - maks: 575W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Frekvens - Overgang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Gevinst: 10dB, Effekt - maks: 350W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Frekvens - Overgang: 470MHz ~ 860MHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 135W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V, Frekvens - Overgang: 470MHz, Gevinst: 12.5dB, Effekt - maks: 3W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Gevinst: 20dB, Effekt - maks: 1.5W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 35V, Frekvens - Overgang: 136MHz, Gevinst: 4.5dB, Effekt - maks: 117W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gevinst: 13.5dB, Effekt - maks: 205mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2.3dB @ 1GHz, Gevinst: 8.3dB, Effekt - maks: 1.8W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 13dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Gevinst: 10dB, Effekt - maks: 1.8W,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 1.2W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gevinst: 13dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gevinst: 9.4dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 1GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Gevinst: 11.6dB, Effekt - maks: 6.4W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V, Frekvens - Overgang: 12.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Gevinst: 11.8dB, Effekt - maks: 800mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 35V, Gevinst: 13.5dB, Effekt - maks: 30W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Gevinst: 10.16dB ~ 10.25dB, Effekt - maks: 50W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 1.6GHz, Gevinst: 8.4dB, Effekt - maks: 45W,
Transistortype: 5 NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Effekt - maks: 150mW,