Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Gevinst: 8.16dB ~ 8.86dB, Effekt - maks: 75W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Gevinst: 14dB, Effekt - maks: 250W,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Gevinst: 4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ, Effekt - maks: 140mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 1.2W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 14.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gevinst: 11.5dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 18GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Gevinst: 9.5dB ~ 11.5dB, Effekt - maks: 130mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Gevinst: 8.3dB, Effekt - maks: 2W,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 1.5GHz, Gevinst: 14dB ~ 26dB, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Frekvens - Overgang: 650MHz, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V, Frekvens - Overgang: 870MHz, Gevinst: 8dB ~ 9.5dB, Effekt - maks: 2.2W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2.5dB @ 1GHz, Gevinst: 17dB, Effekt - maks: 180W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 35V, Frekvens - Overgang: 30MHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 320W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Frekvens - Overgang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gevinst: 10dB, Effekt - maks: 87.5W,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 70V, Frekvens - Overgang: 1GHz ~ 1.4GHz, Gevinst: 14dB, Effekt - maks: 3.5W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Frekvens - Overgang: 470MHz ~ 860MHz, Gevinst: 8.5dB ~ 9.5dB, Effekt - maks: 290W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Frekvens - Overgang: 960MHz ~ 1.215GHz, Gevinst: 8dB ~ 8.5dB, Effekt - maks: 290W,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Gevinst: 25dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 500MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Gevinst: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V, Frekvens - Overgang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Gevinst: 8dB ~ 9dB, Effekt - maks: 290W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Frekvens - Overgang: 960MHz ~ 1.215GHz, Gevinst: 6.3dB, Effekt - maks: 875W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V, Frekvens - Overgang: 3.2GHz, Effekt - maks: 330mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 1GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Gevinst: 11.6dB, Effekt - maks: 6.4W,
Transistortype: 5 NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 1.9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.3dB @ 1.8GHz, Gevinst: 15dB, Effekt - maks: 600mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Frekvens - Overgang: 1.4GHz, Gevinst: 8dB, Effekt - maks: 570W,