Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V, Frekvens - Overgang: 470MHz, Gevinst: 12.5dB, Effekt - maks: 3W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 35V, Frekvens - Overgang: 175MHz, Gevinst: 7.6dB, Effekt - maks: 60W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Frekvens - Overgang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gevinst: 6.7dB, Effekt - maks: 880W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V, Frekvens - Overgang: 960MHz ~ 1.215GHz, Gevinst: 7.5dB, Effekt - maks: 97W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, Frekvens - Overgang: 30MHz, Gevinst: 13dB, Effekt - maks: 270W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V, Frekvens - Overgang: 30MHz, Gevinst: 14.5dB, Effekt - maks: 330W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V, Frekvens - Overgang: 175MHz, Gevinst: 11dB ~ 13dB, Effekt - maks: 3W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz, Gevinst: 13dB ~ 15.5dB, Effekt - maks: 1.25W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V, Frekvens - Overgang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Gevinst: 7.27dB, Effekt - maks: 875W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Gevinst: 13dB ~ 15.5dB, Effekt - maks: 1.25W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V, Frekvens - Overgang: 175MHz, Gevinst: 11.5dB, Effekt - maks: 3W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Frekvens - Overgang: 400MHz ~ 500MHz, Gevinst: 9.7dB, Effekt - maks: 1167W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 17dB, Effekt - maks: 450mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 150MHz, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 800mW,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Effekt - maks: 225mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V, Frekvens - Overgang: 6.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 130mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Effekt - maks: 125mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gevinst: 13dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gevinst: 11.5dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 13.5dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 13dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 1.2W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V, Frekvens - Overgang: 11GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz, Effekt - maks: 90mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 1.215GHz, Gevinst: 7.4dB, Effekt - maks: 690W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Gevinst: 9.2dB, Effekt - maks: 70W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V, Gevinst: 15dB, Effekt - maks: 150W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V, Gevinst: 8.58dB, Effekt - maks: 188W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V, Frekvens - Overgang: 7.7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Gevinst: 10.5dB, Effekt - maks: 1.6W,