Menu
DanskDansk
Rfqs / order.
0Rfqs / order.

Transistorer - bipolar (BJT) - RF

BFG325W/XR,115
NXP USA Inc.

BFG325W/XR,115

Dele Stock.: 4739

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Gevinst: 18.3dB, Effekt - maks: 210mW,

Til ønskeliste
BFG424W,115
NXP USA Inc.

BFG424W,115

Dele Stock.: 7135

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Gevinst: 22dB, Effekt - maks: 135mW,

Til ønskeliste
BFG410W,135
NXP USA Inc.

BFG410W,135

Dele Stock.: 7063

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 22GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Gevinst: 21dB, Effekt - maks: 54mW,

Til ønskeliste
BFG310/XR,215
NXP USA Inc.

BFG310/XR,215

Dele Stock.: 7095

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz, Gevinst: 18dB, Effekt - maks: 60mW,

Til ønskeliste
BFG540,215
NXP USA Inc.

BFG540,215

Dele Stock.: 4706

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz, Effekt - maks: 400mW,

Til ønskeliste
BFG505,215
NXP USA Inc.

BFG505,215

Dele Stock.: 7089

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Effekt - maks: 150mW,

Til ønskeliste
BFQ67W,135
NXP USA Inc.

BFQ67W,135

Dele Stock.: 7093

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 300mW,

Til ønskeliste
BFQ67W,115
NXP USA Inc.

BFQ67W,115

Dele Stock.: 7122

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 300mW,

Til ønskeliste
BLT80,115
NXP USA Inc.

BLT80,115

Dele Stock.: 7076

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 900MHz, Effekt - maks: 2W,

Til ønskeliste
BFG198,115
NXP USA Inc.

BFG198,115

Dele Stock.: 7094

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Effekt - maks: 1W,

Til ønskeliste
BFG10W/X,115
NXP USA Inc.

BFG10W/X,115

Dele Stock.: 7078

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 1.9GHz, Effekt - maks: 400mW,

Til ønskeliste
BFG505/X,235
NXP USA Inc.

BFG505/X,235

Dele Stock.: 7079

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 150mW,

Til ønskeliste
BFG520,215
NXP USA Inc.

BFG520,215

Dele Stock.: 7105

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Effekt - maks: 300mW,

Til ønskeliste
BFG520,235
NXP USA Inc.

BFG520,235

Dele Stock.: 4785

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Effekt - maks: 300mW,

Til ønskeliste
BFG520/X,235
NXP USA Inc.

BFG520/X,235

Dele Stock.: 7123

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Effekt - maks: 300mW,

Til ønskeliste
BFG520/X,215
NXP USA Inc.

BFG520/X,215

Dele Stock.: 7111

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Effekt - maks: 300mW,

Til ønskeliste
BFG540W/X,115
NXP USA Inc.

BFG540W/X,115

Dele Stock.: 7121

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz, Effekt - maks: 500mW,

Til ønskeliste
BFG93A,215
NXP USA Inc.

BFG93A,215

Dele Stock.: 7091

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 300mW,

Til ønskeliste
BFG94,115
NXP USA Inc.

BFG94,115

Dele Stock.: 7095

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2.7dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz, Effekt - maks: 700mW,

Til ønskeliste
BFG25A/X,215
NXP USA Inc.

BFG25A/X,215

Dele Stock.: 7096

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz, Effekt - maks: 32mW,

Til ønskeliste
BFR505T,115
NXP USA Inc.

BFR505T,115

Dele Stock.: 7098

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Effekt - maks: 150mW,

Til ønskeliste
BFG67,215
NXP USA Inc.

BFG67,215

Dele Stock.: 7103

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 380mW,

Til ønskeliste
BFG590/X,215
NXP USA Inc.

BFG590/X,215

Dele Stock.: 7130

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Effekt - maks: 400mW,

Til ønskeliste
BFG67,235
NXP USA Inc.

BFG67,235

Dele Stock.: 7117

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 380mW,

Til ønskeliste
BFG520W,115
NXP USA Inc.

BFG520W,115

Dele Stock.: 7049

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Effekt - maks: 500mW,

Til ønskeliste
BFG67/X,215
NXP USA Inc.

BFG67/X,215

Dele Stock.: 7058

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1GHz, Effekt - maks: 380mW,

Til ønskeliste
BFR94A,215
NXP USA Inc.

BFR94A,215

Dele Stock.: 7071

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 300mW,

Til ønskeliste
BFG10/X,215
NXP USA Inc.

BFG10/X,215

Dele Stock.: 7129

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V, Frekvens - Overgang: 1.9GHz, Gevinst: 7dB, Effekt - maks: 400mW,

Til ønskeliste
BFG92A/X,215
NXP USA Inc.

BFG92A/X,215

Dele Stock.: 7134

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 400mW,

Til ønskeliste
BFG10,215
NXP USA Inc.

BFG10,215

Dele Stock.: 7047

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V, Frekvens - Overgang: 1.9GHz, Gevinst: 7dB, Effekt - maks: 400mW,

Til ønskeliste
BFR93AR,215
NXP USA Inc.

BFR93AR,215

Dele Stock.: 7089

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 300mW,

Til ønskeliste
BFG93A/X,215
NXP USA Inc.

BFG93A/X,215

Dele Stock.: 7078

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 300mW,

Til ønskeliste
BLT50,115
NXP USA Inc.

BLT50,115

Dele Stock.: 7048

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 470MHz, Effekt - maks: 2W,

Til ønskeliste
BLS2731-50,114
Ampleon USA Inc.

BLS2731-50,114

Dele Stock.: 7106

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 75V, Frekvens - Overgang: 3.1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 80W,

Til ønskeliste
BFQ 19S E6327
Infineon Technologies

BFQ 19S E6327

Dele Stock.: 7072

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz, Gevinst: 7dB ~ 11.5dB, Effekt - maks: 1W,

Til ønskeliste
BFP640E6327BTSA1
Infineon Technologies

BFP640E6327BTSA1

Dele Stock.: 7078

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 40GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 24dB, Effekt - maks: 200mW,

Til ønskeliste