Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 800MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz, Effekt - maks: 280mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 16dB, Effekt - maks: 280mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 9.5dB ~ 14.5dB, Effekt - maks: 300mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 40GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 23dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 37GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 21.5dB, Effekt - maks: 500mW,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB ~ 3.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 8dB ~ 13.5dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V, Frekvens - Overgang: 45GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Gevinst: 24dB, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 24GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Gevinst: 15.5dB, Effekt - maks: 450mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gevinst: 21dB, Effekt - maks: 160mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Gevinst: 23dB, Effekt - maks: 75mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 75V, Frekvens - Overgang: 3.1GHz, Gevinst: 10dB, Effekt - maks: 270W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 75V, Frekvens - Overgang: 3.1GHz, Gevinst: 7dB, Effekt - maks: 500W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 1.3GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz, Effekt - maks: 330mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Effekt - maks: 330mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Frekvens - Overgang: 1.1GHz, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Frekvens - Overgang: 1.1GHz, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 500mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Effekt - maks: 2W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 300mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 18GHz, Effekt - maks: 600mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Gevinst: 23dB, Effekt - maks: 135mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Effekt - maks: 500mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Effekt - maks: 2.25W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Effekt - maks: 300mW,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 4GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz, Effekt - maks: 300mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 300mW,