Menu
DanskDansk
Rfqs / order.
0Rfqs / order.

Transistorer - bipolar (BJT) - RF

BFU520VL
NXP USA Inc.

BFU520VL

Dele Stock.: 141854

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 10.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gevinst: 17.5dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste
BFU550VL
NXP USA Inc.

BFU550VL

Dele Stock.: 150763

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 11GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz, Gevinst: 15dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste
BFU530R
NXP USA Inc.

BFU530R

Dele Stock.: 159978

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 11GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Gevinst: 21.5dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste
BFU550XRVL
NXP USA Inc.

BFU550XRVL

Dele Stock.: 173707

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 11GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Gevinst: 15.5dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste
BFU520XRVL
NXP USA Inc.

BFU520XRVL

Dele Stock.: 112672

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 10.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Gevinst: 17.5dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste
BFU550XAR
NXP USA Inc.

BFU550XAR

Dele Stock.: 101903

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 11GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz, Gevinst: 21.5dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste
BFU520XAR
NXP USA Inc.

BFU520XAR

Dele Stock.: 173199

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 10.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz, Gevinst: 20dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste
BFU580QX
NXP USA Inc.

BFU580QX

Dele Stock.: 129653

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 10.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz, Gevinst: 8.5dB, Effekt - maks: 1W,

Til ønskeliste
BFU590QX
NXP USA Inc.

BFU590QX

Dele Stock.: 155934

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Gevinst: 6.5dB, Effekt - maks: 2W,

Til ønskeliste
BFT25,215
NXP USA Inc.

BFT25,215

Dele Stock.: 162781

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 2.3GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 5.5dB @ 500MHz, Effekt - maks: 30mW,

Til ønskeliste
BFU660F,115
NXP USA Inc.

BFU660F,115

Dele Stock.: 152570

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V, Frekvens - Overgang: 21GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz, Gevinst: 12dB ~ 21dB, Effekt - maks: 225mW,

Til ønskeliste
BFU520AR
NXP USA Inc.

BFU520AR

Dele Stock.: 179821

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz, Gevinst: 18dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste
BFQ18A,115
NXP USA Inc.

BFQ18A,115

Dele Stock.: 171694

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, Frekvens - Overgang: 4GHz, Effekt - maks: 1W,

Til ønskeliste
BFU520XRR
NXP USA Inc.

BFU520XRR

Dele Stock.: 104331

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 10.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz, Gevinst: 20dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste
BFU710F,115
NXP USA Inc.

BFU710F,115

Dele Stock.: 105644

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V, Frekvens - Overgang: 43GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz, Effekt - maks: 136mW,

Til ønskeliste
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
Infineon Technologies

BFR840L3RHESDE6327XTSA1

Dele Stock.: 193871

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V, Frekvens - Overgang: 75GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz, Gevinst: 27dB, Effekt - maks: 75mW,

Til ønskeliste
BFR380L3E6327XTMA1
Infineon Technologies

BFR380L3E6327XTMA1

Dele Stock.: 129492

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 2.1dB @ 1.8GHz, Gevinst: 7.5dB ~ 16.5dB, Effekt - maks: 380mW,

Til ønskeliste
BFR193L3E6327XTMA1
Infineon Technologies

BFR193L3E6327XTMA1

Dele Stock.: 129

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 12.5dB ~ 19dB, Effekt - maks: 580mW,

Til ønskeliste
BFR360L3E6765XTMA1
Infineon Technologies

BFR360L3E6765XTMA1

Dele Stock.: 144

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gevinst: 11.5dB ~ 16dB, Effekt - maks: 210mW,

Til ønskeliste
BFR460L3E6327XTMA1
Infineon Technologies

BFR460L3E6327XTMA1

Dele Stock.: 158

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.8V, Frekvens - Overgang: 22GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gevinst: 16dB, Effekt - maks: 200mW,

Til ønskeliste
BFP182WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BFP182WE6327HTSA1

Dele Stock.: 7324

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 22dB, Effekt - maks: 250mW,

Til ønskeliste
BF799WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BF799WH6327XTSA1

Dele Stock.: 7305

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 800MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz, Effekt - maks: 280mW,

Til ønskeliste
BFG135AE6327XT
Infineon Technologies

BFG135AE6327XT

Dele Stock.: 7307

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 9dB ~ 14dB, Effekt - maks: 1W,

Til ønskeliste
BF776H6327XTSA1
Infineon Technologies

BF776H6327XTSA1

Dele Stock.: 137870

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 46GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 24dB, Effekt - maks: 200mW,

Til ønskeliste
BFP520H6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP520H6327XTSA1

Dele Stock.: 100497

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V, Frekvens - Overgang: 45GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Gevinst: 22.5dB, Effekt - maks: 100mW,

Til ønskeliste
BFR181E6327HTSA1
Infineon Technologies

BFR181E6327HTSA1

Dele Stock.: 9961

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 18.5dB, Effekt - maks: 175mW,

Til ønskeliste
BFP760H6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP760H6327XTSA1

Dele Stock.: 146729

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V, Frekvens - Overgang: 45GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz, Gevinst: 16.5dB ~ 29dB, Effekt - maks: 240mW,

Til ønskeliste
BFR340FH6327XTSA1
Infineon Technologies

BFR340FH6327XTSA1

Dele Stock.: 137024

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz, Gevinst: 13dB ~ 28dB, Effekt - maks: 75mW,

Til ønskeliste
BFP780H6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP780H6327XTSA1

Dele Stock.: 94012

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6.1V, Frekvens - Overgang: 900MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz, Gevinst: 27dB, Effekt - maks: 600mW,

Til ønskeliste
BFP840FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP840FESDH6327XTSA1

Dele Stock.: 106450

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V, Frekvens - Overgang: 85GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz, Gevinst: 35dB, Effekt - maks: 75mW,

Til ønskeliste
BFP420FH6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP420FH6327XTSA1

Dele Stock.: 108175

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gevinst: 19.5dB, Effekt - maks: 160mW,

Til ønskeliste
BFP843H6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP843H6327XTSA1

Dele Stock.: 125188

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz, Gevinst: 13.5dB ~ 24.5dB, Effekt - maks: 125mW,

Til ønskeliste
BFP640ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP640ESDH6327XTSA1

Dele Stock.: 151539

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 46GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gevinst: 7dB ~ 30dB, Effekt - maks: 200mW,

Til ønskeliste
BFP840ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP840ESDH6327XTSA1

Dele Stock.: 179204

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V, Frekvens - Overgang: 80GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz, Gevinst: 18.5dB, Effekt - maks: 75mW,

Til ønskeliste
BFS17NQTA
Diodes Incorporated

BFS17NQTA

Dele Stock.: 161551

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V, Frekvens - Overgang: 3.2GHz, Effekt - maks: 310mW,

Til ønskeliste
BFY90
Central Semiconductor Corp

BFY90

Dele Stock.: 11028

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 1.4GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 5.5dB @ 800MHz, Gevinst: 23dB, Effekt - maks: 200mW,

Til ønskeliste