Transistorer - bipolar (BJT) - RF

Hjem
Produktkategori
Diskrete halvlederprodukter
Transistorer - bipolar (BJT) - RF

ON Semiconductor

BF959RL1G

Dele Stock.: 4758

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 700MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Effekt - maks: 625mW,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

BF959G

Dele Stock.: 7162

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 700MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Effekt - maks: 625mW,

Til ønskeliste

BFR750L3RHE6327XTSA1

Infineon Technologies

BFR750L3RHE6327XTSA1

Dele Stock.: 4729

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 37GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 21dB, Effekt - maks: 360mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP 740F E6327

Dele Stock.: 7178

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 42GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 27.5dB, Effekt - maks: 160mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BGB 540 E6327

Dele Stock.: 7143

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 16dB ~ 17.5dB, Effekt - maks: 120mW,

Til ønskeliste

BFP740E6327HTSA1

Infineon Technologies

BFP740E6327HTSA1

Dele Stock.: 7235

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 42GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 27dB, Effekt - maks: 160mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFS 481 E6327

Dele Stock.: 7212

Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 20dB, Effekt - maks: 175mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFS 483 E6327

Dele Stock.: 7234

Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 19dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste

BFS 466L6 E6327

Infineon Technologies

BFS 466L6 E6327

Dele Stock.: 7227

Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, 9V, Frekvens - Overgang: 22GHz, 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gevinst: 12dB ~ 17dB, Effekt - maks: 200mW, 210mW,

Til ønskeliste

BFS 469L6 E6327

Infineon Technologies

BFS 469L6 E6327

Dele Stock.: 7177

Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, 10V, Frekvens - Overgang: 22GHz, 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gevinst: 14.5dB, Effekt - maks: 200mW, 250mW,

Til ønskeliste

BFS 460L6 E6327

Infineon Technologies

BFS 460L6 E6327

Dele Stock.: 4717

Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.8V, Frekvens - Overgang: 22GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gevinst: 10dB ~ 14.5dB, Effekt - maks: 200mW,

Til ønskeliste

BFS 386L6 E6327

Infineon Technologies

BFS 386L6 E6327

Dele Stock.: 7190

Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gevinst: 10dB ~ 14.5dB, Effekt - maks: 210mW, 380mW,

Til ønskeliste

BFS 380L6 E6327

Infineon Technologies

BFS 380L6 E6327

Dele Stock.: 7176

Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gevinst: 8dB ~ 12dB, Effekt - maks: 380mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFS 17P E6433

Dele Stock.: 7154

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 1.4GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz, Effekt - maks: 280mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR 949T E6327

Dele Stock.: 7189

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Gevinst: 20dB, Effekt - maks: 250mW,

Til ønskeliste

BFR 949L3 E6327

Infineon Technologies

BFR 949L3 E6327

Dele Stock.: 7148

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Gevinst: 21.5dB, Effekt - maks: 250mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR 93AW E6327

Dele Stock.: 7172

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 15.5dB, Effekt - maks: 300mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR 92W E6327

Dele Stock.: 7218

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 11.5dB ~ 17dB, Effekt - maks: 280mW,

Til ønskeliste

BFR 740L3 E6327

Infineon Technologies

BFR 740L3 E6327

Dele Stock.: 7194

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 42GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Gevinst: 24dB, Effekt - maks: 160mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR 380T E6327

Dele Stock.: 7187

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gevinst: 12.5dB, Effekt - maks: 380mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR 360T E6327

Dele Stock.: 7217

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Gevinst: 13.5dB, Effekt - maks: 210mW,

Til ønskeliste

BFR 360L3 E6327

Infineon Technologies

BFR 360L3 E6327

Dele Stock.: 7224

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gevinst: 11.5dB ~ 16dB, Effekt - maks: 210mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR 340T E6327

Dele Stock.: 7144

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz, Gevinst: 15dB, Effekt - maks: 60mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR 183T E6327

Dele Stock.: 7186

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 19.5dB, Effekt - maks: 250mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR 182T E6327

Dele Stock.: 7229

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 20dB, Effekt - maks: 250mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR 181T E6327

Dele Stock.: 5478

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 19.5dB, Effekt - maks: 175mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR 182 B6663

Dele Stock.: 7220

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 12dB ~ 18dB, Effekt - maks: 250mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR 181 E6780

Dele Stock.: 7187

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 18.5dB, Effekt - maks: 175mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP 620F E7764

Dele Stock.: 7181

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V, Frekvens - Overgang: 65GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 21dB, Effekt - maks: 185mW,

Til ønskeliste

BFP405E6433HTMA1

Infineon Technologies

BFP405E6433HTMA1

Dele Stock.: 7182

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Gevinst: 23dB, Effekt - maks: 75mW,

Til ønskeliste

BFP420E6433HTMA1

Infineon Technologies

BFP420E6433HTMA1

Dele Stock.: 7168

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gevinst: 21dB, Effekt - maks: 160mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP 196R E6501

Dele Stock.: 7195

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 7.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 16.5dB, Effekt - maks: 700mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFG 235 E6327

Dele Stock.: 7172

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB @ 900MHz, Gevinst: 12.5dB, Effekt - maks: 2W,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFG 196 E6327

Dele Stock.: 7184

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 7.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 9dB ~ 14.5dB, Effekt - maks: 800mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFG 19S E6327

Dele Stock.: 7142

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 14dB ~ 8.5dB, Effekt - maks: 1W,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFG 193 E6433

Dele Stock.: 7137

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 16dB, Effekt - maks: 600mW,

Til ønskeliste

1476

«
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
»