Transistorer - bipolar (BJT) - RF | Diskrete halvlederprodukter | 41

BFP 740FESD E6327

Dele Stock.: 7193

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 47GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gevinst: 9dB ~ 31dB, Effekt - maks: 160mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR 360F E6765

Dele Stock.: 7259

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Gevinst: 15.5dB, Effekt - maks: 210mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR 380F E6327

Dele Stock.: 7253

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gevinst: 9.5dB ~ 13.5dB, Effekt - maks: 380mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP 720F E6327

Dele Stock.: 7235

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 45GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 28dB, Effekt - maks: 100mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP 640FESD E6327

Dele Stock.: 4797

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 46GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gevinst: 8B ~ 30.5dB, Effekt - maks: 200mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP 720FESD E6327

Dele Stock.: 7245

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 45GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gevinst: 10dB ~ 29dB, Effekt - maks: 100mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BGR420H6327XTSA1

Dele Stock.: 114762

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 13V, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz, Effekt - maks: 120mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BGR405H6327XTSA1

Dele Stock.: 7222

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 400MHz ~ 1.8GHz, Effekt - maks: 50mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFY193PZZZA1

Dele Stock.: 7242

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 7.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz, Gevinst: 12.5dB ~ 13.5dB, Effekt - maks: 580mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR183WH6327XTSA1

Dele Stock.: 7216

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 18.5dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP460H6433XTMA1

Dele Stock.: 7182

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.8V, Frekvens - Overgang: 22GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz, Gevinst: 12.5dB ~ 26.5dB, Effekt - maks: 230mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP 196R E6327

Dele Stock.: 7254

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 7.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 16.5dB, Effekt - maks: 700mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BF776E6327FTSA1

Dele Stock.: 7192

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 46GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 24dB, Effekt - maks: 200mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP405E6740HTSA1

Dele Stock.: 5541

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Gevinst: 23dB, Effekt - maks: 75mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP450E6433BTMA1

Dele Stock.: 7253

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 24GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Gevinst: 15.5dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR 193W E6327

Dele Stock.: 7252

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 16dB, Effekt - maks: 580mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR 183W E6327

Dele Stock.: 7207

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 18.5dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR 182W E6327

Dele Stock.: 7236

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 19dB, Effekt - maks: 250mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP196WE6327HTSA1

Dele Stock.: 7231

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 7.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 12.5dB ~ 19dB, Effekt - maks: 700mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFR 181W E6327

Dele Stock.: 7188

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 19dB, Effekt - maks: 175mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP193WE6327HTSA1

Dele Stock.: 4737

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 13.5dB ~ 20.5dB, Effekt - maks: 580mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP183WE6327BTSA1

Dele Stock.: 7198

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 22dB, Effekt - maks: 450mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP650E6327HTSA1

Dele Stock.: 7220

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 37GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 21.5dB, Effekt - maks: 500mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP 405F E6327

Dele Stock.: 7166

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Gevinst: 22.5dB, Effekt - maks: 55mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP540ESDE6327HTSA1

Dele Stock.: 7216

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 30GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Gevinst: 21.5dB, Effekt - maks: 250mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP540E6327BTSA1

Dele Stock.: 7240

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 30GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Gevinst: 21.5dB, Effekt - maks: 250mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP 650F E6327

Dele Stock.: 7159

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 42GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 11dB ~ 21.5dB, Effekt - maks: 500mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP540FESDE6327

Dele Stock.: 7196

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 30GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Gevinst: 20dB, Effekt - maks: 250mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP620E7764BTSA1

Dele Stock.: 7220

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V, Frekvens - Overgang: 65GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 21.5dB, Effekt - maks: 185mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP 520F E6327

Dele Stock.: 7219

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V, Frekvens - Overgang: 45GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Gevinst: 22.5dB, Effekt - maks: 100mW,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BFP 540F E6327

Dele Stock.: 7178

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 30GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Gevinst: 20dB, Effekt - maks: 250mW,

Til ønskeliste

Ampleon USA Inc.

BLW96/01,112

Dele Stock.: 7174

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V, Frekvens - Overgang: 235MHz, Effekt - maks: 340W,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

BF240_J35Z

Dele Stock.: 7146

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Frekvens - Overgang: 1.1GHz, Effekt - maks: 350mW,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

BF199_J35Z

Dele Stock.: 7184

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Frekvens - Overgang: 1.1GHz, Effekt - maks: 350mW,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

BF199_D74Z

Dele Stock.: 7211

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Frekvens - Overgang: 1.1GHz, Effekt - maks: 350mW,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

BF959ZL1G

Dele Stock.: 7187

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 700MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Effekt - maks: 625mW,

Til ønskeliste