Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 2GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Gevinst: 15dB, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Frekvens - Overgang: 650MHz, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Frekvens - Overgang: 700MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, Gevinst: 20dB ~ 24dB, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Gevinst: 18dB ~ 22dB, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB @ 200MHz, Gevinst: 20dB ~ 23dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 1.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz, Gevinst: 14dB @ 200MHz, Effekt - maks: 350W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Gevinst: 13.5dB, Effekt - maks: 120mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Frekvens - Overgang: 650MHz, Effekt - maks: 225mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz, Gevinst: 13.5dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gevinst: 10dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 13dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 125mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gevinst: 9.4dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gevinst: 13dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 2GHz, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 130mW,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz, Gevinst: 6dB ~ 12dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 2GHz, Effekt - maks: 90mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gevinst: 11dB, Effekt - maks: 125mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 2GHz, Effekt - maks: 90mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz, Gevinst: 9.6dB ~ 13.5dB, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V, Gevinst: 7dB, Effekt - maks: 58W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, Gevinst: 6dB, Effekt - maks: 270W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Frekvens - Overgang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gevinst: 8.2dB, Effekt - maks: 583W,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 600MHz,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 1.3GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz, Gevinst: 53dB, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 1.9GHz, Effekt - maks: 125mW,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gevinst: 11.5dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Effekt - maks: 360mW,
Transistortype: 5 NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: 5 NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.25dB @ 1kHz, Effekt - maks: 750mW,