Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 5.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz, Gevinst: 10dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gevinst: 9.6dB, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 2GHz, Effekt - maks: 90mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 140mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 130mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gevinst: 11dB, Effekt - maks: 125mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 2W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Gevinst: 14dB ~ 16dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gevinst: 9.4dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gevinst: 7.5dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 125mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 14dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 130mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Gevinst: 15dB, Effekt - maks: 330mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V, Gevinst: 14dB, Effekt - maks: 318W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V, Gevinst: 13dB, Effekt - maks: 233W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Frekvens - Overgang: 650MHz, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Gevinst: 11dB, Effekt - maks: 225mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 800MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Gevinst: 24dB, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Frekvens - Overgang: 700MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, Gevinst: 20dB ~ 24dB, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 1.1GHz, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Gevinst: 18dB ~ 22dB, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: 6 NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Gevinst: 12.4dB ~ 17.5dB, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: 5 PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6.5V, Frekvens - Overgang: 15GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz, Gevinst: 15dB ~ 22dB, Effekt - maks: 188mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Frekvens - Overgang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gevinst: 8.4dB, Effekt - maks: 292W,