Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Frekvens - Overgang: 650MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 500MHz, Effekt - maks: 330mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Gevinst: 15dB, Effekt - maks: 330mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Gevinst: 8.3dB, Effekt - maks: 2W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 15GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gevinst: 16dB, Effekt - maks: 205mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 1.2W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gevinst: 13dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 125mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Gevinst: 7dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gevinst: 8.5dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Gevinst: 25dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Frekvens - Overgang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gevinst: 8.4dB, Effekt - maks: 292W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 1.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz, Gevinst: 14dB @ 200MHz, Effekt - maks: 350W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 1.1GHz, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Frekvens - Overgang: 700MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, Gevinst: 20dB ~ 24dB, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 850MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz, Gevinst: 15dB ~ 23dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Gevinst: 18dB ~ 22dB, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 1.4GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz, Gevinst: 20dB ~ 23dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Frekvens - Overgang: 800MHz, Effekt - maks: 225mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V, Gevinst: 5.8dB, Effekt - maks: 117W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 365mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Frekvens - Overgang: 650MHz, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 8.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz,