Menu
DanskDansk
Rfqs / order.
0Rfqs / order.

Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single

BUK9608-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9608-55A,118

Dele Stock.: 81443

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BSS138LT3
ON Semiconductor

BSS138LT3

Dele Stock.: 281

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 50V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 5V,

Til ønskeliste
BSS123LT3
ON Semiconductor

BSS123LT3

Dele Stock.: 305

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

Til ønskeliste
BSS123LT3G
ON Semiconductor

BSS123LT3G

Dele Stock.: 251

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

Til ønskeliste
BS170RLRPG
ON Semiconductor

BS170RLRPG

Dele Stock.: 339

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Til ønskeliste
BS170RLRP
ON Semiconductor

BS170RLRP

Dele Stock.: 277

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Til ønskeliste
BS170G
ON Semiconductor

BS170G

Dele Stock.: 6047

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Til ønskeliste
BS108G
ON Semiconductor

BS108G

Dele Stock.: 5654

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2V, 2.8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 2.8V,

Til ønskeliste
BS107G
ON Semiconductor

BS107G

Dele Stock.: 6088

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Til ønskeliste
BS107ARL1G
ON Semiconductor

BS107ARL1G

Dele Stock.: 245

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Til ønskeliste
BS107ARL1
ON Semiconductor

BS107ARL1

Dele Stock.: 306

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Til ønskeliste
BS170P
Diodes Incorporated

BS170P

Dele Stock.: 82285

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Til ønskeliste
BSS87L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS87L6327HTSA1

Dele Stock.: 311

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 240V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 260mA, 10V,

Til ønskeliste
BSS84PW
Infineon Technologies

BSS84PW

Dele Stock.: 246

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 10V,

Til ønskeliste
BSS84PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS84PL6327HTSA1

Dele Stock.: 264

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

Til ønskeliste
BSS192PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS192PL6327HTSA1

Dele Stock.: 303

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 250V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 190mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 190mA, 10V,

Til ønskeliste
BSS7728N
Infineon Technologies

BSS7728N

Dele Stock.: 298

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Til ønskeliste
BSS138NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS138NL6327HTSA1

Dele Stock.: 227

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Til ønskeliste
BSS138W E6327
Infineon Technologies

BSS138W E6327

Dele Stock.: 295

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 280mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Til ønskeliste
BSS123L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS123L6327HTSA1

Dele Stock.: 228

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Til ønskeliste
BSP92PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP92PL6327HTSA1

Dele Stock.: 265

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 250V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 260mA, 10V,

Til ønskeliste
BSP89L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP89L6327HTSA1

Dele Stock.: 257

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 240V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 350mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

Til ønskeliste
BSP613PL6327HUSA1
Infineon Technologies

BSP613PL6327HUSA1

Dele Stock.: 321

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.9A, 10V,

Til ønskeliste
BSP372L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP372L6327HTSA1

Dele Stock.: 290

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 1.7A, 5V,

Til ønskeliste
BSP373L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP373L6327HTSA1

Dele Stock.: 6061

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.7A, 10V,

Til ønskeliste
BSP316PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP316PL6327HTSA1

Dele Stock.: 238

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 680mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 680mA, 10V,

Til ønskeliste
BSP317PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP317PL6327HTSA1

Dele Stock.: 303

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 250V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 430mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 430mA, 10V,

Til ønskeliste
BSP297L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP297L6327HTSA1

Dele Stock.: 301

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 660mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Til ønskeliste
BSP315PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP315PL6327HTSA1

Dele Stock.: 253

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 1.17A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 1.17A, 10V,

Til ønskeliste
BSP296L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP296L6327HTSA1

Dele Stock.: 270

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V,

Til ønskeliste
BSP295L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP295L6327HTSA1

Dele Stock.: 290

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V,

Til ønskeliste
BSP171PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP171PL6327HTSA1

Dele Stock.: 6106

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

Til ønskeliste
BSP170PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP170PL6327HTSA1

Dele Stock.: 276

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

Til ønskeliste
BSO300N03S
Infineon Technologies

BSO300N03S

Dele Stock.: 251

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.7A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.2A, 10V,

Til ønskeliste
BSO200N03S
Infineon Technologies

BSO200N03S

Dele Stock.: 232

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.8A, 10V,

Til ønskeliste
BSO072N03S
Infineon Technologies

BSO072N03S

Dele Stock.: 276

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 15A, 10V,

Til ønskeliste