Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single | Diskrete halvlederprodukter | 100

BSZ018NE2LSIATMA1

Dele Stock.: 16507

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 25V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 40A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 20A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSC882N03LSGATMA1

Dele Stock.: 146645

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 34V, Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 30A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSZ075N08NS5ATMA1

Dele Stock.: 125045

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSB013NE2LXIXUMA1

Dele Stock.: 16579

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 25V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), 163A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 30A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSC024NE2LSATMA1

Dele Stock.: 16599

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 25V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSC025N03MSGATMA1

Dele Stock.: 143497

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta). 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 30A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSC120N03LSGATMA1

Dele Stock.: 105622

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 39A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSC034N03LSGATMA1

Dele Stock.: 197142

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSC017N04NSGATMA1

Dele Stock.: 16503

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 50A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSB028N06NN3GXUMA1

Dele Stock.: 16573

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 90A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 30A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSC030N03LSGATMA1

Dele Stock.: 181445

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 30A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSZ100N03MSGATMA1

Dele Stock.: 155577

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 40A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 20A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSP320SH6327XTSA1

Dele Stock.: 127092

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Tj), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSC060N10NS3GATMA1

Dele Stock.: 71214

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 14.9A (Ta), 90A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ73L

Dele Stock.: 92

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.5A, 5V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ73AL

Dele Stock.: 95

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 5V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ73AE3046XK

Dele Stock.: 152

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ73A

Dele Stock.: 97

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ32H3045AATMA1

Dele Stock.: 142

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ73E3046XK

Dele Stock.: 174

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ32 E3045A

Dele Stock.: 168

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ32

Dele Stock.: 94

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ31L E3044A

Dele Stock.: 164

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ31L

Dele Stock.: 176

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ31 E3046

Dele Stock.: 128

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ31 E3045A

Dele Stock.: 125

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ31

Dele Stock.: 160

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ30A E3045A

Dele Stock.: 182

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13.5A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BTS282ZAKSA1

Dele Stock.: 135

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 49V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 36A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BTS282Z E3230

Dele Stock.: 97

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 49V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 36A, 10V,

Til ønskeliste

Nexperia USA Inc.

BUK7225-55A,118

Dele Stock.: 173353

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste

Nexperia USA Inc.

BSP225,115

Dele Stock.: 187249

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 250V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 225mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V,

Til ønskeliste

Nexperia USA Inc.

BSP122,115

Dele Stock.: 169877

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 550mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Til ønskeliste

Nexperia USA Inc.

BUK7230-55A,118

Dele Stock.: 119400

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste

Nexperia USA Inc.

BUK7E3R5-60E,127

Dele Stock.: 28660

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste

Nexperia USA Inc.

BUK6210-55C,118

Dele Stock.: 158074

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 78A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 15A, 10V,

Til ønskeliste