Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single | Diskrete halvlederprodukter | 100

BSS138W-TP

Dele Stock.: 114968

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 50V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 220mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSS806NEH6327XTSA1

Dele Stock.: 133510

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSL307SPH6327XTSA1

Dele Stock.: 173921

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5.5A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSR302NL6327HTSA1

Dele Stock.: 147786

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 3.7A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSP149H6327XTSA1

Dele Stock.: 151561

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 660mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSS126H6327XTSA2

Dele Stock.: 139015

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 21mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSR315PH6327XTSA1

Dele Stock.: 154692

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 620mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 620mA, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSP300H6327XUSA1

Dele Stock.: 149949

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 190mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ73LHXKSA1

Dele Stock.: 1204

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.5A, 5V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ73ALHXKSA1

Dele Stock.: 1178

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 5V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ73A H3046

Dele Stock.: 1626

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ73A H

Dele Stock.: 1233

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ73HXKSA1

Dele Stock.: 1190

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ73H3046XKSA1

Dele Stock.: 1217

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ31L H

Dele Stock.: 1152

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BUZ31HXKSA1

Dele Stock.: 1196

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

Til ønskeliste

Infineon Technologies

BSS84PH6327XTSA1

Dele Stock.: 1174

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

Til ønskeliste

Nexperia USA Inc.

BUK7D25-40EX

Dele Stock.: 9923

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V,

Til ønskeliste

Nexperia USA Inc.

BUK7905-40AIE,127

Dele Stock.: 28752

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

Til ønskeliste

Nexperia USA Inc.

BUK6228-55C,118

Dele Stock.: 183525

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 10A, 10V,

Til ønskeliste

Nexperia USA Inc.

BUK9610-100B,118

Dele Stock.: 61512

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste

Nexperia USA Inc.

BUK6607-55C,118

Dele Stock.: 123826

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste

Nexperia USA Inc.

BUK962R8-60E,118

Dele Stock.: 53057

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste

Nexperia USA Inc.

BUK7635-55A,118

Dele Stock.: 157535

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 20A, 10V,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

BMS4003

Dele Stock.: 1258

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 9A, 10V,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

BXL4001

Dele Stock.: 1160

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 75V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 85A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 43A, 10V,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

BMS3003

Dele Stock.: 1228

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 78A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 39A, 10V,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

BFL4007

Dele Stock.: 1221

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8.7A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680 mOhm @ 7A, 10V,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

BFL4036

Dele Stock.: 1229

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9.6A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 7A, 10V,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

BFL4004

Dele Stock.: 1163

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3.25A, 10V,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

BFL4037

Dele Stock.: 1124

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

BMS4007

Dele Stock.: 1121

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 75V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 30A, 10V,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

BFL4026

Dele Stock.: 6121

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 2.5A, 10V,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

BFL4001

Dele Stock.: 1193

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 3.25A, 10V,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

BBS3002-DL-E

Dele Stock.: 6191

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 50A, 10V,

Til ønskeliste

NXP USA Inc.

BUK9875-100A,115

Dele Stock.: 1199

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 8A, 10V,

Til ønskeliste