Menu
DanskDansk
Rfqs / order.
0Rfqs / order.

Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single

BUK7C1R8-60EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R8-60EJ

Dele Stock.: 6258

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V,

Til ønskeliste
BUK7C1R4-40EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R4-40EJ

Dele Stock.: 2529

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V,

Til ønskeliste
BUK7C1R2-40EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R2-40EJ

Dele Stock.: 2518

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V,

Til ønskeliste
BUK9Y9R9-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y9R9-80E,115

Dele Stock.: 2547

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V,

Til ønskeliste
BUK9Y98-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y98-80E,115

Dele Stock.: 2588

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V,

Til ønskeliste
BUK9Y7R8-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y7R8-80E,115

Dele Stock.: 2582

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V,

Til ønskeliste
BUK9E1R8-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R8-40E,127

Dele Stock.: 2573

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK9E8R5-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E8R5-40E,127

Dele Stock.: 6339

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

Til ønskeliste
BUK9E6R1-100E,127
NXP USA Inc.

BUK9E6R1-100E,127

Dele Stock.: 2510

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK9E4R9-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E4R9-60E,127

Dele Stock.: 2556

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK9E4R4-80E,127
NXP USA Inc.

BUK9E4R4-80E,127

Dele Stock.: 2545

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK9E3R7-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E3R7-60E,127

Dele Stock.: 2588

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK9E2R8-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E2R8-60E,127

Dele Stock.: 2547

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK9E3R2-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E3R2-40E,127

Dele Stock.: 2570

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK9E1R9-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R9-40E,127

Dele Stock.: 2502

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V,

Til ønskeliste
BUK9E2R3-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E2R3-40E,127

Dele Stock.: 2570

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK9E1R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R6-30E,127

Dele Stock.: 2576

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK9E15-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E15-60E,127

Dele Stock.: 2588

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 54A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Til ønskeliste
BUK956R1-100E,127
NXP USA Inc.

BUK956R1-100E,127

Dele Stock.: 6333

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK958R5-40E,127
NXP USA Inc.

BUK958R5-40E,127

Dele Stock.: 2510

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

Til ønskeliste
BUK954R4-80E,127
NXP USA Inc.

BUK954R4-80E,127

Dele Stock.: 2512

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK952R8-60E,127
NXP USA Inc.

BUK952R8-60E,127

Dele Stock.: 2572

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK952R3-40E,127
NXP USA Inc.

BUK952R3-40E,127

Dele Stock.: 6262

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK951R9-40E,127
NXP USA Inc.

BUK951R9-40E,127

Dele Stock.: 2587

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK951R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK951R6-30E,127

Dele Stock.: 6281

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK7E4R0-80E,127
NXP USA Inc.

BUK7E4R0-80E,127

Dele Stock.: 2546

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK9515-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9515-60E,127

Dele Stock.: 2529

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 54A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Til ønskeliste
BUK7E1R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK7E1R6-30E,127

Dele Stock.: 6300

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK753R5-60E,127
NXP USA Inc.

BUK753R5-60E,127

Dele Stock.: 2561

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK751R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK751R6-30E,127

Dele Stock.: 6316

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK7Y08-40B/C,115
NXP USA Inc.

BUK7Y08-40B/C,115

Dele Stock.: 2544

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK7Y25-40B/C,115
NXP USA Inc.

BUK7Y25-40B/C,115

Dele Stock.: 2544

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 35.3A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

Til ønskeliste
BUK655R0-75C,127
NXP USA Inc.

BUK655R0-75C,127

Dele Stock.: 2509

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 75V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK654R6-55C,127
NXP USA Inc.

BUK654R6-55C,127

Dele Stock.: 2550

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK653R7-30C,127
NXP USA Inc.

BUK653R7-30C,127

Dele Stock.: 2483

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK654R0-75C,127
NXP USA Inc.

BUK654R0-75C,127

Dele Stock.: 2520

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 75V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste