Menu
DanskDansk
Rfqs / order.
0Rfqs / order.

Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single

BUK7E13-60E,127
Nexperia USA Inc.

BUK7E13-60E,127

Dele Stock.: 75551

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Til ønskeliste
BUK7E3R1-40E,127
Nexperia USA Inc.

BUK7E3R1-40E,127

Dele Stock.: 35084

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK7E2R3-40E,127
Nexperia USA Inc.

BUK7E2R3-40E,127

Dele Stock.: 28687

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK7E5R2-100E,127
Nexperia USA Inc.

BUK7E5R2-100E,127

Dele Stock.: 21980

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK664R6-40C,118
Nexperia USA Inc.

BUK664R6-40C,118

Dele Stock.: 51992

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK7675-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7675-55A,118

Dele Stock.: 172950

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 20.3A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V,

Til ønskeliste
BUK9640-100A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9640-100A,118

Dele Stock.: 111424

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK965R4-40E,118
Nexperia USA Inc.

BUK965R4-40E,118

Dele Stock.: 102308

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK662R5-30C,118
Nexperia USA Inc.

BUK662R5-30C,118

Dele Stock.: 47244

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BFL4026-1E
ON Semiconductor

BFL4026-1E

Dele Stock.: 34306

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 2.5A, 10V,

Til ønskeliste
BMS3004-1E
ON Semiconductor

BMS3004-1E

Dele Stock.: 19168

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 75V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 68A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 34A, 10V,

Til ønskeliste
BBL4001-1E
ON Semiconductor

BBL4001-1E

Dele Stock.: 25429

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 74A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 37A, 10V,

Til ønskeliste
BMS3003-1E
ON Semiconductor

BMS3003-1E

Dele Stock.: 19146

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 78A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 39A, 10V,

Til ønskeliste
BTS282ZE3230AKSA2
Infineon Technologies

BTS282ZE3230AKSA2

Dele Stock.: 15360

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 49V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 36A, 10V,

Til ønskeliste
BUZ30AHXKSA1
Infineon Technologies

BUZ30AHXKSA1

Dele Stock.: 3711

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13.5A, 10V,

Til ønskeliste
BSP318SH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP318SH6327XTSA1

Dele Stock.: 166907

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Tj), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.6A, 10V,

Til ønskeliste
BUZ31 H3045A
Infineon Technologies

BUZ31 H3045A

Dele Stock.: 75142

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 10V,

Til ønskeliste
BSP171PH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP171PH6327XTSA1

Dele Stock.: 110081

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

Til ønskeliste
BSP129H6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP129H6327XTSA1

Dele Stock.: 151280

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 240V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 350mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

Til ønskeliste
BSS606NH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS606NH6327XTSA1

Dele Stock.: 140760

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.2A, 10V,

Til ønskeliste
BTS282ZE3180AATMA2
Infineon Technologies

BTS282ZE3180AATMA2

Dele Stock.: 30675

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 49V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 36A, 10V,

Til ønskeliste
BSP149H6906XTSA1
Infineon Technologies

BSP149H6906XTSA1

Dele Stock.: 132013

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 660mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Til ønskeliste
BUK7Y25-80E/GFX
NXP USA Inc.

BUK7Y25-80E/GFX

Dele Stock.: 2567

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

Til ønskeliste
BUK7Y25-80E/CX
NXP USA Inc.

BUK7Y25-80E/CX

Dele Stock.: 2511

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

Til ønskeliste
BUK7Y25-60E/GFX
NXP USA Inc.

BUK7Y25-60E/GFX

Dele Stock.: 2552

Til ønskeliste
BUK761R7-40E/GFJ
NXP USA Inc.

BUK761R7-40E/GFJ

Dele Stock.: 2563

Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V,

Til ønskeliste
BUK761R5-40EJ
NXP USA Inc.

BUK761R5-40EJ

Dele Stock.: 2572

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.51 mOhm @ 25A, 10V,

Til ønskeliste
BUK9C1R3-40EJ
NXP USA Inc.

BUK9C1R3-40EJ

Dele Stock.: 57

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 190A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 90A, 5V,

Til ønskeliste
BUK951R8-40EQ
NXP USA Inc.

BUK951R8-40EQ

Dele Stock.: 2593

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V,

Til ønskeliste
BUK9C5R3-100EJ
NXP USA Inc.

BUK9C5R3-100EJ

Dele Stock.: 2508

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V,

Til ønskeliste
BUK9C3R8-80EJ
NXP USA Inc.

BUK9C3R8-80EJ

Dele Stock.: 2594

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V,

Til ønskeliste
BUK9C2R2-60EJ
NXP USA Inc.

BUK9C2R2-60EJ

Dele Stock.: 2531

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V,

Til ønskeliste
BUK7C4R5-100EJ
NXP USA Inc.

BUK7C4R5-100EJ

Dele Stock.: 2529

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V,

Til ønskeliste
BUK7C5R4-100EJ
NXP USA Inc.

BUK7C5R4-100EJ

Dele Stock.: 2551

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V,

Til ønskeliste
BUK7C3R1-80EJ
NXP USA Inc.

BUK7C3R1-80EJ

Dele Stock.: 2547

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V,

Til ønskeliste
BUK7C3R8-80EJ
NXP USA Inc.

BUK7C3R8-80EJ

Dele Stock.: 2556

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V,

Til ønskeliste