Transistorer - bipolar (BJT) - RF | Diskrete halvlederprodukter | 41

2SC4957-T1-A

Dele Stock.: 7305

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gevinst: 11dB, Effekt - maks: 180mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC4095-T1-A

Dele Stock.: 7267

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 200mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC5013-T1-A

Dele Stock.: 7209

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gevinst: 9.5dB, Effekt - maks: 150mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC5455-T1-A

Dele Stock.: 7226

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gevinst: 10dB, Effekt - maks: 200mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC5752-T1-A

Dele Stock.: 7287

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gevinst: 13dB, Effekt - maks: 200mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC5454-T1-A

Dele Stock.: 7270

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 14.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 200mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC5751-T2-A

Dele Stock.: 7301

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 15GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gevinst: 16dB, Effekt - maks: 205mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC5750-T1-A

Dele Stock.: 7223

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 15GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gevinst: 15dB, Effekt - maks: 200mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC5338-T1-AZ

Dele Stock.: 7252

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Gevinst: 10dB, Effekt - maks: 1.8W,

Til ønskeliste

CEL

2SC4703-T1-AZ

Dele Stock.: 7225

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2.3dB @ 1GHz, Gevinst: 8.3dB, Effekt - maks: 1.8W,

Til ønskeliste

CEL

2SC5753-T2-A

Dele Stock.: 7210

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gevinst: 13.5dB, Effekt - maks: 205mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC5509-T2-A

Dele Stock.: 7273

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V, Frekvens - Overgang: 15GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Gevinst: 14dB, Effekt - maks: 190mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC5606-T1-A

Dele Stock.: 4794

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V, Frekvens - Overgang: 21GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Gevinst: 14dB, Effekt - maks: 115mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC5508-T2-A

Dele Stock.: 7250

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Gevinst: 17dB, Effekt - maks: 115mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC5336-T1-AZ

Dele Stock.: 7277

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 1.2W,

Til ønskeliste

CEL

2SC5015-T1-A

Dele Stock.: 7276

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gevinst: 11dB, Effekt - maks: 150mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC5008-T1-A

Dele Stock.: 7280

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gevinst: 7.5dB, Effekt - maks: 125mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC5007-T1-A

Dele Stock.: 7265

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 125mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC4536-T1-AZ

Dele Stock.: 7297

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz, Gevinst: 7dB, Effekt - maks: 2W,

Til ønskeliste

CEL

2SC5006-T1-A

Dele Stock.: 7291

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 125mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC4227-T1-A

Dele Stock.: 7281

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 150mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC4094-T1-A

Dele Stock.: 7259

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 13.5dB, Effekt - maks: 200mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC4226-T1-A

Dele Stock.: 7260

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 150mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC3585-T1B-A

Dele Stock.: 4791

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 200mW,

Til ønskeliste

CEL

2SC3356-T1B-A

Dele Stock.: 4795

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gevinst: 13dB, Effekt - maks: 200mW,

Til ønskeliste

ON Semiconductor

2SC5415AF-TD-E

Dele Stock.: 166564

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6.7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 800mW,

Til ønskeliste

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5088-O(TE85L,F)

Dele Stock.: 7295

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Gevinst: 18dB, Effekt - maks: 100mW,

Til ønskeliste

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5108-Y,LF

Dele Stock.: 4783

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Gevinst: 11dB, Effekt - maks: 100mW,

Til ønskeliste

Microsemi Corporation

2301

Dele Stock.: 584

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V, Frekvens - Overgang: 2.3GHz, Gevinst: 8dB, Effekt - maks: 5.6W,

Til ønskeliste

Microsemi Corporation

2N5031

Dele Stock.: 7272

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 400MHz, Gevinst: 12dB @ 400MHz, Effekt - maks: 200mW,

Til ønskeliste

Microsemi Corporation

2N3866A

Dele Stock.: 7217

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Frekvens - Overgang: 400MHz, Effekt - maks: 1W,

Til ønskeliste

Microsemi Corporation

2N3866

Dele Stock.: 26291

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Frekvens - Overgang: 400MHz, Effekt - maks: 1W,

Til ønskeliste

Microsemi Corporation

2A5

Dele Stock.: 697

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 22V, Frekvens - Overgang: 3.4GHz ~ 3.7GHz, Gevinst: 7dB ~ 9dB, Effekt - maks: 5.3W,

Til ønskeliste

Microsemi Corporation

23A008

Dele Stock.: 500

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 22V, Frekvens - Overgang: 3.7GHz, Gevinst: 8.5dB ~ 9.5dB, Effekt - maks: 5W,

Til ønskeliste

Microsemi Corporation

2225-4L

Dele Stock.: 7281

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Frekvens - Overgang: 2.2GHz ~ 2.5GHz, Gevinst: 8.5dB, Effekt - maks: 10W,

Til ønskeliste

Microsemi Corporation

23A005

Dele Stock.: 634

Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 22V, Frekvens - Overgang: 4.3GHz, Gevinst: 8.5dB ~ 9.5dB, Effekt - maks: 3W,

Til ønskeliste