Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single | Diskrete halvlederprodukter | 100

SI7784DP-T1-GE3

Dele Stock.: 683

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI7160DP-T1-GE3

Dele Stock.: 629

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 15A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI4660DY-T1-GE3

Dele Stock.: 683

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 25V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 23.1A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFR420ATRPBF

Dele Stock.: 98624

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRL540PBF

Dele Stock.: 37415

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 17A, 5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI4398DY-T1-GE3

Dele Stock.: 640

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIB413DK-T1-GE3

Dele Stock.: 656

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI1046R-T1-GE3

Dele Stock.: 658

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 606mA, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI5475DDC-T1-GE3

Dele Stock.: 193846

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 12V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI7601DN-T1-GE3

Dele Stock.: 664

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 11A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI5447DC-T1-GE3

Dele Stock.: 679

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRF9540PBF

Dele Stock.: 38759

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 11A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI7411DN-T1-GE3

Dele Stock.: 620

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 11.4A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFR420TRPBF

Dele Stock.: 180849

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.4A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI1067X-T1-GE3

Dele Stock.: 634

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.06A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFP460PBF

Dele Stock.: 19003

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFU9220PBF

Dele Stock.: 37016

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI6433BDQ-T1-GE3

Dele Stock.: 5687

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 12V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.8A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI7748DP-T1-GE3

Dele Stock.: 91365

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 15A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI4866BDY-T1-GE3

Dele Stock.: 147258

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 12V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 21.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 12A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI6459BDQ-T1-GE3

Dele Stock.: 691

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.7A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI7758DP-T1-GE3

Dele Stock.: 87628

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI1065X-T1-GE3

Dele Stock.: 660

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 12V, Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 1.18A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFR014TRPBF

Dele Stock.: 196214

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI4448DY-T1-E3

Dele Stock.: 655

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 12V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI7802DN-T1-GE3

Dele Stock.: 637

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 250V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 1.24A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 435 mOhm @ 1.95A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI4825DY-T1-GE3

Dele Stock.: 711

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8.1A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11.5A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI7485DP-T1-GE3

Dele Stock.: 647

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 20A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRF9510PBF

Dele Stock.: 73271

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.4A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI6435ADQ-T1-GE3

Dele Stock.: 669

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.7A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.5A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI2351DS-T1-GE3

Dele Stock.: 672

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIR496DP-T1-GE3

Dele Stock.: 659

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFR110TRPBF

Dele Stock.: 192453

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI7620DN-T1-GE3

Dele Stock.: 632

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 150V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126 mOhm @ 3.6A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRLR024TRPBF

Dele Stock.: 180882

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI6463BDQ-T1-GE3

Dele Stock.: 649

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7.4A, 4.5V,

Ønskeseddel