Menu
DanskDansk
Rfqs / order.
0Rfqs / order.

Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single

  • Hjem
  •  
  • Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single
SI6466ADQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI6466ADQ-T1-GE3

Dele Stock.: 1030

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 8.1A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI7860DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7860DP-T1-GE3

Dele Stock.: 1081

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 18A, 10V,

Ønskeseddel
SUM90N06-4M4P-E3
Vishay Siliconix

SUM90N06-4M4P-E3

Dele Stock.: 987

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel
SI3445DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3445DV-T1-GE3

Dele Stock.: 1039

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 8V, Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI5441DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5441DC-T1-GE3

Dele Stock.: 1068

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI3454CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3454CDV-T1-GE3

Dele Stock.: 1041

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.8A, 10V,

Ønskeseddel
SIB455EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB455EDK-T1-GE3

Dele Stock.: 967

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 12V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI9424BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI9424BDY-T1-GE3

Dele Stock.: 1062

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI3424DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3424DV-T1-GE3

Dele Stock.: 1007

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.7A, 10V,

Ønskeseddel
SI4453DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4453DY-T1-GE3

Dele Stock.: 1029

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 12V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 14A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI7682DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7682DP-T1-GE3

Dele Stock.: 1069

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel
SI7405BDN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7405BDN-T1-E3

Dele Stock.: 132128

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 12V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 13.5A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI4462DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4462DY-T1-GE3

Dele Stock.: 6188

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 1.15A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 1.5A, 10V,

Ønskeseddel
SI4418DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4418DY-T1-GE3

Dele Stock.: 1021

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V,

Ønskeseddel
SI3445ADV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3445ADV-T1-GE3

Dele Stock.: 1082

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 8V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI4401DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4401DY-T1-GE3

Dele Stock.: 1062

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8.7A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 10.5A, 10V,

Ønskeseddel
SIHF18N50C-E3
Vishay Siliconix

SIHF18N50C-E3

Dele Stock.: 909

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel
IRFR9220PBF
Vishay Siliconix

IRFR9220PBF

Dele Stock.: 45557

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V,

Ønskeseddel
SI4176DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4176DY-T1-GE3

Dele Stock.: 6141

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.3A, 10V,

Ønskeseddel
SI7886ADP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7886ADP-T1-E3

Dele Stock.: 1120

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel
SI2321DS-T1-E3
Vishay Siliconix

SI2321DS-T1-E3

Dele Stock.: 6142

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

Ønskeseddel
SUD50N04-37P-T4-E3
Vishay Siliconix

SUD50N04-37P-T4-E3

Dele Stock.: 6120

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta), 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5A, 10V,

Ønskeseddel
SI5445BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5445BDC-T1-GE3

Dele Stock.: 1042

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 8V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5.2A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI5485DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5485DU-T1-GE3

Dele Stock.: 1084

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI3473DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3473DV-T1-GE3

Dele Stock.: 1082

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 12V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.9A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.9A, 4.5V,

Ønskeseddel
SUP60N06-12P-GE3
Vishay Siliconix

SUP60N06-12P-GE3

Dele Stock.: 1099

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel
SI7840BDP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7840BDP-T1-E3

Dele Stock.: 1072

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 16.5A, 10V,

Ønskeseddel
SI7856ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7856ADP-T1-GE3

Dele Stock.: 1107

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel
SI1470DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1470DH-T1-GE3

Dele Stock.: 970

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

Ønskeseddel
SQD35N05-26L-GE3
Vishay Siliconix

SQD35N05-26L-GE3

Dele Stock.: 1081

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel
SI1304BDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1304BDL-T1-GE3

Dele Stock.: 947

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 900mA (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 900mA, 4.5V,

Ønskeseddel
SUP75P03-07-E3
Vishay Siliconix

SUP75P03-07-E3

Dele Stock.: 23040

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel
SI5486DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5486DU-T1-GE3

Dele Stock.: 1009

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7.7A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI7491DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7491DP-T1-GE3

Dele Stock.: 1098

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 18A, 10V,

Ønskeseddel
IRF730PBF
Vishay Siliconix

IRF730PBF

Dele Stock.: 53132

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 400V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

Ønskeseddel
SI1417EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1417EDH-T1-GE3

Dele Stock.: 967

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 12V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

Ønskeseddel