Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single

SI5857DU-T1-E3

SI5857DU-T1-E3

Dele Stock.: 494

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI5858DU-T1-E3

SI5858DU-T1-E3

Dele Stock.: 405

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI1022R-T1-E3

SI1022R-T1-E3

Dele Stock.: 6114

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 330mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 500mA, 10V,

Ønskeseddel
SI7459DP-T1-E3

SI7459DP-T1-E3

Dele Stock.: 6127

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 22A, 10V,

Ønskeseddel
SI1056X-T1-E3

SI1056X-T1-E3

Dele Stock.: 463

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89 mOhm @ 1.32A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI7138DP-T1-E3

SI7138DP-T1-E3

Dele Stock.: 406

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 19.7A, 10V,

Ønskeseddel
SIE822DF-T1-E3

SIE822DF-T1-E3

Dele Stock.: 51934

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 18.3A, 10V,

Ønskeseddel
SI4480DY-T1-E3

SI4480DY-T1-E3

Dele Stock.: 464

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V, Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V,

Ønskeseddel
SI3499DV-T1-E3

SI3499DV-T1-E3

Dele Stock.: 449

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 8V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI4620DY-T1-E3

SI4620DY-T1-E3

Dele Stock.: 190266

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), 7.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V,

Ønskeseddel
SI4840DY-T1-E3

SI4840DY-T1-E3

Dele Stock.: 448

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 10V,

Ønskeseddel
SI8415DB-T1-E1

SI8415DB-T1-E1

Dele Stock.: 6053

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 12V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 1A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI8402DB-T1-E1

SI8402DB-T1-E1

Dele Stock.: 492

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 1A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI7136DP-T1-E3

SI7136DP-T1-E3

Dele Stock.: 460

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel
SI3457BDV-T1-E3

SI3457BDV-T1-E3

Dele Stock.: 467

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 5A, 10V,

Ønskeseddel
SIA810DJ-T1-E3

SIA810DJ-T1-E3

Dele Stock.: 499

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V,

Ønskeseddel
SIE832DF-T1-E3

SIE832DF-T1-E3

Dele Stock.: 43984

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 14A, 10V,

Ønskeseddel
IRFS9N60ATRRPBF

IRFS9N60ATRRPBF

Dele Stock.: 34226

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V,

Ønskeseddel
SI1304BDL-T1-E3

SI1304BDL-T1-E3

Dele Stock.: 433

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 900mA (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 900mA, 4.5V,

Ønskeseddel
SI4336DY-T1-E3

SI4336DY-T1-E3

Dele Stock.: 464

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel
SI7403BDN-T1-E3

SI7403BDN-T1-E3

Dele Stock.: 6130

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

Ønskeseddel
TP0101K-T1-E3

TP0101K-T1-E3

Dele Stock.: 454

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 580mA, 4.5V,

Ønskeseddel
SUM36N20-54P-E3

SUM36N20-54P-E3

Dele Stock.: 482

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 20A, 15V,

Ønskeseddel
SI3446ADV-T1-E3

SI3446ADV-T1-E3

Dele Stock.: 467

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI5406DC-T1-E3

SI5406DC-T1-E3

Dele Stock.: 420

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 12V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6.9A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.9A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI6435ADQ-T1-E3

SI6435ADQ-T1-E3

Dele Stock.: 466

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.7A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.5A, 10V,

Ønskeseddel
SI3434DV-T1-E3

SI3434DV-T1-E3

Dele Stock.: 418

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6.1A, 4.5V,

Ønskeseddel
TP0202K-T1-E3

TP0202K-T1-E3

Dele Stock.: 486

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 385mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V,

Ønskeseddel
SI1472DH-T1-E3

SI1472DH-T1-E3

Dele Stock.: 475

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 4.2A, 10V,

Ønskeseddel
SI4642DY-T1-E3

SI4642DY-T1-E3

Dele Stock.: 407

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel
SI5486DU-T1-E3

SI5486DU-T1-E3

Dele Stock.: 477

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7.7A, 4.5V,

Ønskeseddel
SI6463BDQ-T1-E3

SI6463BDQ-T1-E3

Dele Stock.: 416

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7.4A, 4.5V,

Ønskeseddel
SUM18N25-165-E3

SUM18N25-165-E3

Dele Stock.: 6102

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 250V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 14A, 10V,

Ønskeseddel
SI3456BDV-T1-E3

SI3456BDV-T1-E3

Dele Stock.: 393

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V,

Ønskeseddel
SI1305DL-T1-E3

SI1305DL-T1-E3

Dele Stock.: 408

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 8V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 860mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1A, 4.5V,

Ønskeseddel
SUM40N15-38-E3

SUM40N15-38-E3

Dele Stock.: 51855

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 150V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 15A, 10V,

Ønskeseddel