Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single

Hjem
Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single

SI7317DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7317DN-T1-GE3

Dele Stock.: 140959

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 150V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIHFR1N60A-GE3

Dele Stock.: 9973

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

Ønskeseddel

SUM110N03-04P-E3

Vishay Siliconix

SUM110N03-04P-E3

Dele Stock.: 1412

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIHD6N62E-GE3

Dele Stock.: 10246

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V,

Ønskeseddel

SIE820DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE820DF-T1-GE3

Dele Stock.: 1474

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 18A, 4.5V,

Ønskeseddel

SI3476DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3476DV-T1-GE3

Dele Stock.: 108008

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 3.5A, 10V,

Ønskeseddel

SIRA52DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRA52DP-T1-GE3

Dele Stock.: 118887

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 15A, 10V,

Ønskeseddel

SI3443CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3443CDV-T1-GE3

Dele Stock.: 193900

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.97A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFP460APBF

Dele Stock.: 17996

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V,

Ønskeseddel

SI2371EDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2371EDS-T1-GE3

Dele Stock.: 147875

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.7A, 10V,

Ønskeseddel

SIS435DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS435DNT-T1-GE3

Dele Stock.: 181027

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 13A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI8439DB-T1-E1

Dele Stock.: 114810

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 8V, Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Ønskeseddel

SI7812DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7812DN-T1-GE3

Dele Stock.: 73609

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 75V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.2A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI7463DP-T1-E3

Dele Stock.: 62425

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 18.6A, 10V,

Ønskeseddel

SQ7415AENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ7415AENW-T1_GE3

Dele Stock.: 9941

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5.7A, 10V,

Ønskeseddel

SI7655DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7655DN-T1-GE3

Dele Stock.: 93051

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

SI2319DDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2319DDS-T1-GE3

Dele Stock.: 9907

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.7A, 10V,

Ønskeseddel

SUP90N06-5M0P-E3

Vishay Siliconix

SUP90N06-5M0P-E3

Dele Stock.: 1405

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIHU2N80E-GE3

Dele Stock.: 10077

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75 Ohm @ 1A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFR9010TRLPBF

Dele Stock.: 108086

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 50V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 2.8A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFS11N50APBF

Dele Stock.: 23664

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6.6A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIHP25N40D-GE3

Dele Stock.: 21622

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 400V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 13A, 10V,

Ønskeseddel

SI5441BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5441BDC-T1-GE3

Dele Stock.: 139892

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V,

Ønskeseddel

SI3437DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3437DV-T1-GE3

Dele Stock.: 195411

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 150V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.4A, 10V,

Ønskeseddel

SQ3481EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ3481EV-T1_GE3

Dele Stock.: 9951

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5.3A, 10V,

Ønskeseddel

SIR460DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR460DP-T1-GE3

Dele Stock.: 139904

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 15A, 10V,

Ønskeseddel

SIR172ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR172ADP-T1-GE3

Dele Stock.: 167026

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SUD45P03-10-E3

Dele Stock.: 1457

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIHD6N80E-GE3

Dele Stock.: 12856

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 3A, 10V,

Ønskeseddel

SQJ433EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ433EP-T1_GE3

Dele Stock.: 9965

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 16A, 10V,

Ønskeseddel

SIR662DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR662DP-T1-GE3

Dele Stock.: 76185

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

SI3469DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3469DV-T1-GE3

Dele Stock.: 153423

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.7A, 10V,

Ønskeseddel

SQJA80EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJA80EP-T1_GE3

Dele Stock.: 136685

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

SIJ438DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJ438DP-T1-GE3

Dele Stock.: 95214

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

SQJ463EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ463EP-T1_GE3

Dele Stock.: 47733

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 18A, 10V,

Ønskeseddel

SI7114ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7114ADN-T1-GE3

Dele Stock.: 191391

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 18A, 10V,

Ønskeseddel

3600

«
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
»