Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single | Diskrete halvlederprodukter | 100

SQ2348ES-T1_GE3

Dele Stock.: 111408

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 12A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIS888DN-T1-GE3

Dele Stock.: 100731

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 150V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 20.2A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFBF20LPBF

Dele Stock.: 26959

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFU430APBF

Dele Stock.: 78568

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 3A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SISH617DN-T1-GE3

Dele Stock.: 9926

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 13.9A (Ta), 35A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 13.9A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIHH20N50E-T1-GE3

Dele Stock.: 13696

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 147 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SQ2361EES-T1-GE3

Dele Stock.: 1197

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.4A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI7230DN-T1-E3

Dele Stock.: 113215

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 14A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIR492DP-T1-GE3

Dele Stock.: 99094

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 12V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI7738DP-T1-GE3

Dele Stock.: 25627

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 150V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 7.7A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SQJ423EP-T1_GE3

Dele Stock.: 161774

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI7617DN-T1-GE3

Dele Stock.: 186550

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 13.9A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFR210TRRPBF

Dele Stock.: 118927

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI1467DH-T1-E3

Dele Stock.: 115563

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SQ3427EEV-T1-GE3

Dele Stock.: 1196

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 4.5A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI7454DP-T1-E3

Dele Stock.: 99308

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 7.8A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIR882ADP-T1-GE3

Dele Stock.: 60958

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI3456DDV-T1-E3

Dele Stock.: 180218

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6.3A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFR9120TRLPBF

Dele Stock.: 142021

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI8461DB-T2-E1

Dele Stock.: 152776

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFB9N60APBF

Dele Stock.: 26472

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFR9214TRLPBF

Dele Stock.: 98712

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 250V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.7A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI2301BDS-T1-GE3

Dele Stock.: 122073

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIR184DP-T1-RE3

Dele Stock.: 9967

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 20.7A (Ta), 73A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIAA40DJ-T1-GE3

Dele Stock.: 193455

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 5A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI7425DN-T1-E3

Dele Stock.: 1107

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 12V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8.3A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 12.6A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI4888DY-T1-GE3

Dele Stock.: 1017

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI4850EY-T1

Dele Stock.: 1074

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI2341DS-T1-E3

Dele Stock.: 1091

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.8A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI5441DC-T1-E3

Dele Stock.: 1029

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI4682DY-T1-E3

Dele Stock.: 1045

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 16A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI7668ADP-T1-GE3

Dele Stock.: 1072

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIE844DF-T1-E3

Dele Stock.: 1131

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 44.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 12.1A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI4823DY-T1-E3

Dele Stock.: 132524

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFP22N50APBF

Dele Stock.: 16276

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 13A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI3456BDV-T1-GE3

Dele Stock.: 1052

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V,

Ønskeseddel