Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single

Hjem
Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single

SIA448DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA448DJ-T1-GE3

Dele Stock.: 169988

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 12.4A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI4404DY-T1-E3

Dele Stock.: 1527

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 23A, 10V,

Ønskeseddel

SI4434DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4434DY-T1-GE3

Dele Stock.: 68716

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 250V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.1A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 3A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFI624GPBF

Dele Stock.: 1532

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 250V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

SIE832DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE832DF-T1-GE3

Dele Stock.: 43943

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 14A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRLZ14S

Dele Stock.: 1538

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V,

Ønskeseddel

SI4386DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4386DY-T1-GE3

Dele Stock.: 159083

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFR210PBF

Dele Stock.: 69131

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

Ønskeseddel

SQ4182EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4182EY-T1_GE3

Dele Stock.: 10824

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 14A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI4455DY-T1-E3

Dele Stock.: 73600

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 150V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

SI4412ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4412ADY-T1-E3

Dele Stock.: 1496

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.8A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI4426DY-T1-E3

Dele Stock.: 108121

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8.5A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SUP75N03-04-E3

Dele Stock.: 1524

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 75A, 10V,

Ønskeseddel

SUD35N05-26L-E3

Vishay Siliconix

SUD35N05-26L-E3

Dele Stock.: 1474

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

SI4425BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4425BDY-T1-GE3

Dele Stock.: 78344

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 11.4A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRF9530PBF

Dele Stock.: 45568

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.2A, 10V,

Ønskeseddel

SI4800BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4800BDY-T1-E3

Dele Stock.: 126818

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI4464DY-T1-E3

Dele Stock.: 159052

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2.2A, 10V,

Ønskeseddel

SI4100DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4100DY-T1-GE3

Dele Stock.: 125140

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 4.4A, 10V,

Ønskeseddel

SUD23N06-31L-E3

Vishay Siliconix

SUD23N06-31L-E3

Dele Stock.: 118954

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 15A, 10V,

Ønskeseddel

SI4010DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4010DY-T1-GE3

Dele Stock.: 167778

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 31.3A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 15A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRL520PBF

Dele Stock.: 63689

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 5.5A, 5V,

Ønskeseddel

SI4831BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4831BDY-T1-E3

Dele Stock.: 1596

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6.6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

Ønskeseddel

SI9433BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI9433BDY-T1-GE3

Dele Stock.: 100195

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.2A, 4.5V,

Ønskeseddel

SQ4425EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4425EY-T1_GE3

Dele Stock.: 10789

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13A, 10V,

Ønskeseddel

SQ4483EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4483EY-T1_GE3

Dele Stock.: 10770

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

SI4103DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4103DY-T1-GE3

Dele Stock.: 10820

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 16A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

SQ4483BEEY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4483BEEY-T1_GE3

Dele Stock.: 10837

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFDC20PBF

Dele Stock.: 29452

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 190mA, 10V,

Ønskeseddel

SIHH28N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIHH28N60E-T1-GE3

Dele Stock.: 10451

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 14A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI4888DY-T1-E3

Dele Stock.: 1502

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V,

Ønskeseddel

SI7790DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7790DP-T1-GE3

Dele Stock.: 49817

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 15A, 10V,

Ønskeseddel

SI4884BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4884BDY-T1-E3

Dele Stock.: 128225

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 16.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRFP460NPBF

Dele Stock.: 1584

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 12A, 10V,

Ønskeseddel

SUD50N06-07L-E3

Vishay Siliconix

SUD50N06-07L-E3

Dele Stock.: 1499

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 96A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

SI4143DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4143DY-T1-GE3

Dele Stock.: 81402

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 25.3A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 12A, 10V,

Ønskeseddel

3600

«
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
»