Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single

Hjem
Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single

TK12A53D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK12A53D(STA4,Q,M)

Dele Stock.: 31913

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 525V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580 mOhm @ 6A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK8Q60W,S1VQ

Dele Stock.: 36648

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

TK3A65DA(STA4,QM)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK3A65DA(STA4,QM)

Dele Stock.: 54078

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51 Ohm @ 1.3A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK14G65W5,RQ

Dele Stock.: 61791

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 13.7A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.9A, 10V,

Ønskeseddel

TJ80S04M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TJ80S04M3L(T6L1,NQ

Dele Stock.: 75895

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 80A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 40A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR8504PL,L1Q

Dele Stock.: 64047

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK100S04N1L,LQ

Dele Stock.: 59911

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK7A65W,S5X

Dele Stock.: 40074

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 3.4A, 10V,

Ønskeseddel

TK15A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK15A50D(STA4,Q,M)

Dele Stock.: 43168

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.5A, 10V,

Ønskeseddel

TK5A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK5A55D(STA4,Q,M)

Dele Stock.: 59442

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 550V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 2.5A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15AFS,LF

Dele Stock.: 146399

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK10V60W,LVQ

Dele Stock.: 45593

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 4.9A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH2900ENH,L1Q

Dele Stock.: 67627

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 33A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 16.5A, 10V,

Ønskeseddel

TK60E08K3,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage

TK60E08K3,S1X(S

Dele Stock.: 47246

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 75V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 60A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel

TK8A60DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK8A60DA(STA4,Q,M)

Dele Stock.: 45679

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK5A65W,S5X

Dele Stock.: 41464

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.6A, 10V,

Ønskeseddel

TPCA8064-H,LQ(CM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8064-H,LQ(CM

Dele Stock.: 77317

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK160F10N1L,LQ

Dele Stock.: 7982

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 160A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 80A, 10V,

Ønskeseddel

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Dele Stock.: 68119

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 1.3A, 10V,

Ønskeseddel

TK6A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A50D(STA4,Q,M)

Dele Stock.: 60129

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 3A, 10V,

Ønskeseddel

TK18E10K3,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage

TK18E10K3,S1X(S

Dele Stock.: 56261

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 9A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK6Q65W,S1Q

Dele Stock.: 51965

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.8A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V,

Ønskeseddel

TK6A45DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A45DA(STA4,Q,M)

Dele Stock.: 65709

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 450V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 2.8A, 10V,

Ønskeseddel

TK7A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK7A55D(STA4,Q,M)

Dele Stock.: 51660

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 550V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3.5A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK6Q60W,S1VQ

Dele Stock.: 45527

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820 mOhm @ 3.1A, 10V,

Ønskeseddel

TK9A45D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK9A45D(STA4,Q,M)

Dele Stock.: 48218

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 450V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770 mOhm @ 4.5A, 10V,

Ønskeseddel

TK40E10K3,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage

TK40E10K3,S1X(S

Dele Stock.: 43237

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

TPCA8055-H,LQ(M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8055-H,LQ(M

Dele Stock.: 60456

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 56A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 28A, 10V,

Ønskeseddel

TK12A60D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK12A60D(STA4,Q,M)

Dele Stock.: 50578

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

Ønskeseddel

TK11A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK11A50D(STA4,Q,M)

Dele Stock.: 38250

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 5.5A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A65W,S5X

Dele Stock.: 38216

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.8A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.9A, 10V,

Ønskeseddel

TK8A45D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK8A45D(STA4,Q,M)

Dele Stock.: 51493

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 450V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

TK5A65DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK5A65DA(STA4,Q,M)

Dele Stock.: 51848

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67 Ohm @ 2.3A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J327R,LF

Dele Stock.: 111963

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K37MFV,L3F

Dele Stock.: 146195

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Ønskeseddel

TK6A53D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A53D(STA4,Q,M)

Dele Stock.: 55041

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 525V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 3A, 10V,

Ønskeseddel

741

«
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
»