Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single

Hjem
Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single

Toshiba Semiconductor and Storage

TK31V60W,LVQ

Dele Stock.: 15568

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30.8A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 15.4A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TPW4R50ANH,L1Q

Dele Stock.: 93811

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 92A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 46A, 10V,

Ønskeseddel

SSM6J215FE(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J215FE(TE85L,F

Dele Stock.: 179583

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3A, 4.5V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K123TU,LF

Dele Stock.: 154973

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 3A, 4V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK35N65W5,S1F

Dele Stock.: 8137

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 17.5A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK31N60W5,S1VF

Dele Stock.: 10406

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30.8A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 15.4A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK35A65W,S5X

Dele Stock.: 10249

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 17.5A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K72CTC,L3F

Dele Stock.: 165309

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK31E60X,S1X

Dele Stock.: 12874

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30.8A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 9.4A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TPW1R306PL,L1Q

Dele Stock.: 52018

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 260A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.29 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J120TU,LF

Dele Stock.: 181550

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3A, 4V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK31E60W,S1VX

Dele Stock.: 10871

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30.8A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 15.4A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J351R,LF

Dele Stock.: 125673

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134 mOhm @ 1A, 10V,

Ønskeseddel

TPCA8026(TE12L,Q,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8026(TE12L,Q,M

Dele Stock.: 77538

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 23A, 10V,

Ønskeseddel

SSM3K7002CFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K7002CFU,LF

Dele Stock.: 113529

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH5900CNH,L1Q

Dele Stock.: 139118

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 150V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 4.5A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK39N60W5,S1VF

Dele Stock.: 10492

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 38.8A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 19.4A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J334R,LF

Dele Stock.: 114000

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71 mOhm @ 3A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K333R,LF

Dele Stock.: 181888

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K37FS,LF

Dele Stock.: 164622

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K781G,LF

Dele Stock.: 168957

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 12V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K72KCT,L3F

Dele Stock.: 168170

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J130TU,LF

Dele Stock.: 194401

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8 mOhm @ 4A, 4.5V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K16CT,L3F

Dele Stock.: 21564

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK16A60W,S4X

Dele Stock.: 29509

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 15.8A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.9A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK9J90E,S1E

Dele Stock.: 20952

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK14C65W5,S1Q

Dele Stock.: 26069

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 13.7A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.9A, 10V,

Ønskeseddel

TK13A50DA(STA4,Q,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TK13A50DA(STA4,Q,M

Dele Stock.: 30522

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 6.3A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J132TU,LF

Dele Stock.: 103604

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 12V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 5A, 4.5V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK12A60W,S4VX

Dele Stock.: 20769

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 5.8A, 10V,

Ønskeseddel

TK15A60D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK15A60D(STA4,Q,M)

Dele Stock.: 24154

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370 mOhm @ 7.5A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK9A65W,S5X

Dele Stock.: 30056

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9.3A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 4.6A, 10V,

Ønskeseddel

TK11A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK11A55D(STA4,Q,M)

Dele Stock.: 31876

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 550V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 5.5A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

TK20V60W,LVQ

Dele Stock.: 26594

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Toshiba Semiconductor and Storage

T2N7002AK,LM

Dele Stock.: 154374

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V,

Ønskeseddel

TK14A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK14A55D(STA4,Q,M)

Dele Stock.: 26114

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 550V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370 mOhm @ 7A, 10V,

Ønskeseddel

741

«
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
»