Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single | Diskrete halvlederprodukter | 8

TSM080N03PQ56 RLG

Dele Stock.: 10758

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 73A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 14A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM3481CX6 RFG

Dele Stock.: 9943

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.7A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5.3A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM3457CX6 RFG

Dele Stock.: 9951

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2303CX RFG

Dele Stock.: 9973

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 1.3A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.3A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM650P02CX RFG

Dele Stock.: 9956

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3A, 4.5V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM80N1R2CH C5G

Dele Stock.: 12404

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.75A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM900N10CH X0G

Dele Stock.: 12203

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 5A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2N60ECH C5G

Dele Stock.: 10600

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM80N950CH C5G

Dele Stock.: 12382

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB190CF C0G

Dele Stock.: 13098

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 3.7A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N900CH C5G

Dele Stock.: 12462

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 700V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 1.5A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB600CH C5G

Dele Stock.: 12381

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4NB60CH C5G

Dele Stock.: 12440

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A, Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N380CI C0G

Dele Stock.: 13248

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 700V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.3A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB600CF C0G

Dele Stock.: 12623

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 1.7A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N1R4CH C5G

Dele Stock.: 12453

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 700V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.2A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB190CI C0G

Dele Stock.: 13271

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 6A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB380CH C5G

Dele Stock.: 12432

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 2.85A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM160N10CZ C0G

Dele Stock.: 12997

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM3N80CH C5G

Dele Stock.: 12349

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM280NB06LCR RLG

Dele Stock.: 16514

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), 28A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM055N03PQ56 RLG

Dele Stock.: 16535

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM230N06CP ROG

Dele Stock.: 16589

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM045NB06CR RLG

Dele Stock.: 16504

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 104A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 16A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM300NB06CR RLG

Dele Stock.: 16586

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), 27A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM80N950CP ROG

Dele Stock.: 16581

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM085P03CV RGG

Dele Stock.: 16544

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 64A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 14A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N1R4CP ROG

Dele Stock.: 16509

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 700V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.2A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM650N15CS RLG

Dele Stock.: 16571

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 150V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM35N10CP ROG

Dele Stock.: 16561

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM088NA03CR RLG

Dele Stock.: 16529

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 61A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 13A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM220NB06CR RLG

Dele Stock.: 16561

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), 35A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60N750CP ROG

Dele Stock.: 16564

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 3A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4N60ECP ROG

Dele Stock.: 16583

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM045NA03CR RLG

Dele Stock.: 16581

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 108A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 18A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM220NB06LCR RLG

Dele Stock.: 16537

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), 35A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8A, 10V,

Ønskeseddel