Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single

Hjem
Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM1NB60SCT B0

Dele Stock.: 2467

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM3N80CI C0G

Dele Stock.: 4313

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4N80CI C0G

Dele Stock.: 4344

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.2A, 10V,

Ønskeseddel

TSM80N1R2CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM80N1R2CI C0G

Dele Stock.: 5284

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.8A, 10V,

Ønskeseddel

TSM80N1R2CL C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM80N1R2CL C0G

Dele Stock.: 4323

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.8A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4N90CI C0G

Dele Stock.: 4305

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM8N70CI C0

Dele Stock.: 6330

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 700V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

TSM60NB099CF C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB099CF C0G

Dele Stock.: 5178

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 5.3A, 10V,

Ønskeseddel

TSM70N600CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N600CI C0G

Dele Stock.: 5205

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 700V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM3N90CZ C0G

Dele Stock.: 5305

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM1NB60SCT A3

Dele Stock.: 2457

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM5NC50CF C0G

Dele Stock.: 5247

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38 Ohm @ 1.7A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM10N80CI C0G

Dele Stock.: 5226

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 4.75A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM3N90CI C0G

Dele Stock.: 5266

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V,

Ønskeseddel

TSM60N900CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60N900CI C0G

Dele Stock.: 4669

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.3A, 10V,

Ønskeseddel

TSM70N900CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N900CI C0G

Dele Stock.: 5301

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 700V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 1.5A, 10V,

Ønskeseddel

TSM70N600ACL X0G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N600ACL X0G

Dele Stock.: 5123

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 700V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.4A, 10V,

Ønskeseddel

TSM120N10PQ56 RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM120N10PQ56 RLG

Dele Stock.: 2203

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4N70CP ROG

Dele Stock.: 2273

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 700V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM1N45DCS RLG

Dele Stock.: 6291

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 450V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25 Ohm @ 250mA, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4N60ECH C5G

Dele Stock.: 8145

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM3404CX RFG

Dele Stock.: 2229

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.8A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 10V,

Ønskeseddel

TSM210N06CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM210N06CZ C0G

Dele Stock.: 2247

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 210A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 90A, 10V,

Ønskeseddel

TSM60N600CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60N600CH C5G

Dele Stock.: 8094

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM1N45CT A3G

Dele Stock.: 2228

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 450V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25 Ohm @ 250mA, 10V,

Ønskeseddel

TSM60NB099PW C1G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB099PW C1G

Dele Stock.: 8550

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 11.7A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4N70CI C0G

Dele Stock.: 2207

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 700V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM6N60CH C5G

Dele Stock.: 2277

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2NB65CH X0G

Dele Stock.: 2263

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM7N65ACI C0G

Dele Stock.: 2275

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45 Ohm @ 3A, 10V,

Ønskeseddel

TSM70N750CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N750CH C5G

Dele Stock.: 7808

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 700V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.8A, 10V,

Ønskeseddel

TSM80N400CF C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM80N400CF C0G

Dele Stock.: 8588

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 2.7A, 10V,

Ønskeseddel

TSM600N25ECH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM600N25ECH C5G

Dele Stock.: 7934

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 250V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM8N50CP ROG

Dele Stock.: 2208

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7.2A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 3.6A, 10V,

Ønskeseddel

TSM13N50ACZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM13N50ACZ C0G

Dele Stock.: 2254

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 6.5A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4NB60CZ C0G

Dele Stock.: 2242

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

276

«
1
2
3
4
5
6
7
8
»