Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single | Diskrete halvlederprodukter | 8

TSM7NC65CF C0G

Dele Stock.: 8580

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM8N70CI C0G

Dele Stock.: 2239

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 700V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM6NB60CI C0G

Dele Stock.: 2213

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 3A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4NC60CI C0G

Dele Stock.: 2211

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.3A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM1N45CT B0G

Dele Stock.: 2237

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 450V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25 Ohm @ 250mA, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2N100CH C5G

Dele Stock.: 7993

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1000V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 1.85A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 900mA, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM1NB60SCT B0G

Dele Stock.: 2258

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4459CS RLG

Dele Stock.: 2261

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 9A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM13N50ACI C0G

Dele Stock.: 2283

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 6.5A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM500N03CP ROG

Dele Stock.: 2249

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 8A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2301CX RFG

Dele Stock.: 2202

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4435BCS RLG

Dele Stock.: 2272

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9.1A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9.1A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM1NB60CH C5G

Dele Stock.: 8001

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 1A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM1NB60SCT A3G

Dele Stock.: 2247

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM7N90CI C0G

Dele Stock.: 8625

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60N750CH C5G

Dele Stock.: 8133

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 3A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2311CX RFG

Dele Stock.: 2244

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 4.5V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2NB65CP ROG

Dele Stock.: 2197

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2NB60CH C5G

Dele Stock.: 2195

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 1A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM6N50CH C5G

Dele Stock.: 2196

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.8A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM3N90CH C5G

Dele Stock.: 8010

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM340N06CH X0G

Dele Stock.: 8984

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 15A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM3N90CP ROG

Dele Stock.: 10826

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N600CP ROG

Dele Stock.: 10822

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 700V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM3N80CP ROG

Dele Stock.: 10850

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM600P03CS RLG

Dele Stock.: 10780

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM033NB04LCR RLG

Dele Stock.: 10811

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 121A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 21A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM036N03PQ56 RLG

Dele Stock.: 10772

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 124A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 22A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM130NB06CR RLG

Dele Stock.: 10821

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 51A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM110NB04LCR RLG

Dele Stock.: 10812

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 54A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM130NB06LCR RLG

Dele Stock.: 10842

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 51A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60N600CP ROG

Dele Stock.: 10839

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM180N03CS RLG

Dele Stock.: 10761

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM025NB04LCR RLG

Dele Stock.: 10850

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), 161A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 24A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM018NA03CR RLG

Dele Stock.: 10836

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 185A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 29A, 10V,

Ønskeseddel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N10CP ROG

Dele Stock.: 10841

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel