Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 1.4GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz, Gevinst: 20dB ~ 23dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 800MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Gevinst: 24dB, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Frekvens - Overgang: 650MHz, Effekt - maks: 225mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB @ 200MHz, Gevinst: 20dB ~ 23dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Gevinst: 18dB ~ 22dB, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 2GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Gevinst: 15dB, Effekt - maks: 350mW,