Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 1.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz, Gevinst: 13dB @ 0.4GHz, Effekt - maks: 400mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 1.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz, Gevinst: 13dB @ 0.4GHz, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V, Frekvens - Overgang: 1.5GHz, Effekt - maks: 400mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V, Frekvens - Overgang: 1.5GHz, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 1.7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz, Gevinst: 16dB, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V, Frekvens - Overgang: 10GHz ~ 12.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gevinst: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz, Gevinst: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 4.7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Gevinst: 8dB, Effekt - maks: 1.3W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz, Gevinst: 10dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6.7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 800mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 5.2GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gevinst: 10.5dB @ 1GHz, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2.6dB ~ 1.9dB @ 1GHz, Gevinst: 7dB ~ 10.5dB @ 1GHz, Effekt - maks: 90mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Gevinst: 12dB ~ 8.5dB @ 1GHz, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Gevinst: 13dB, Effekt - maks: 500mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 2.1GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz, Gevinst: 1.5dB, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Støjfigur (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Gevinst: 15dB, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Frekvens - Overgang: 3.5GHz, Effekt - maks: 1.3W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz ~ 5.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz, Gevinst: 11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz ~ 5.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz, Gevinst: 10dB @ 1GHz, Effekt - maks: 400mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz, Gevinst: 9.5dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Frekvens - Overgang: 1.1GHz, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Frekvens - Overgang: 1.1GHz, Effekt - maks: 350mW,