Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Gevinst: 18dB ~ 22dB, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Frekvens - Overgang: 700MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, Gevinst: 20dB ~ 24dB, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Frekvens - Overgang: 650MHz, Effekt - maks: 225mW,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Effekt - maks: 225mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V, Frekvens - Overgang: 16GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 17.5dB, Effekt - maks: 400mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 800MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Gevinst: 24dB, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Frekvens - Overgang: 800MHz, Effekt - maks: 225mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 1.1GHz, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 1.1GHz, Effekt - maks: 400mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 2GHz, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 2GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Gevinst: 15dB, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Frekvens - Overgang: 650MHz, Effekt - maks: 350mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Frekvens - Overgang: 500MHz, Effekt - maks: 225mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 1.1GHz, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 2GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Gevinst: 15dB, Effekt - maks: 225mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB @ 200MHz, Gevinst: 20dB ~ 23dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 1.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz, Gevinst: 14dB @ 200MHz, Effekt - maks: 350W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Gevinst: 13.5dB, Effekt - maks: 120mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 600MHz, Effekt - maks: 225mW,