Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, 10V, Frekvens - Overgang: 22GHz, 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gevinst: 14.5dB, Effekt - maks: 200mW, 250mW,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.8V, Frekvens - Overgang: 22GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gevinst: 10dB ~ 14.5dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gevinst: 10dB ~ 14.5dB, Effekt - maks: 210mW, 380mW,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gevinst: 8dB ~ 12dB, Effekt - maks: 380mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 1.4GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz, Effekt - maks: 280mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Gevinst: 20dB, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Gevinst: 21.5dB, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 15.5dB, Effekt - maks: 300mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 11.5dB ~ 17dB, Effekt - maks: 280mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 42GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Gevinst: 24dB, Effekt - maks: 160mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gevinst: 12.5dB, Effekt - maks: 380mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Gevinst: 13.5dB, Effekt - maks: 210mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gevinst: 11.5dB ~ 16dB, Effekt - maks: 210mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz, Gevinst: 15dB, Effekt - maks: 60mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 19.5dB, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 20dB, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 19.5dB, Effekt - maks: 175mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 12dB ~ 18dB, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 18.5dB, Effekt - maks: 175mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V, Frekvens - Overgang: 65GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 21dB, Effekt - maks: 185mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Gevinst: 23dB, Effekt - maks: 75mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gevinst: 21dB, Effekt - maks: 160mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 7.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 16.5dB, Effekt - maks: 700mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB @ 900MHz, Gevinst: 12.5dB, Effekt - maks: 2W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 7.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 9dB ~ 14.5dB, Effekt - maks: 800mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 14dB ~ 8.5dB, Effekt - maks: 1W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 16dB, Effekt - maks: 600mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 800MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz, Effekt - maks: 280mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 16dB, Effekt - maks: 280mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 9.5dB ~ 14.5dB, Effekt - maks: 300mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 40GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 23dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 37GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 21.5dB, Effekt - maks: 500mW,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB ~ 3.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 8dB ~ 13.5dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V, Frekvens - Overgang: 45GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Gevinst: 24dB, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 24GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Gevinst: 15.5dB, Effekt - maks: 450mW,