Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V, Frekvens - Overgang: 75GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz, Gevinst: 27dB, Effekt - maks: 75mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 2.1dB @ 1.8GHz, Gevinst: 7.5dB ~ 16.5dB, Effekt - maks: 380mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 12.5dB ~ 19dB, Effekt - maks: 580mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gevinst: 11.5dB ~ 16dB, Effekt - maks: 210mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.8V, Frekvens - Overgang: 22GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gevinst: 16dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 22dB, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 800MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz, Effekt - maks: 280mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 9dB ~ 14dB, Effekt - maks: 1W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 46GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 24dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V, Frekvens - Overgang: 45GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Gevinst: 22.5dB, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 18.5dB, Effekt - maks: 175mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V, Frekvens - Overgang: 45GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz, Gevinst: 16.5dB ~ 29dB, Effekt - maks: 240mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz, Gevinst: 13dB ~ 28dB, Effekt - maks: 75mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6.1V, Frekvens - Overgang: 900MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz, Gevinst: 27dB, Effekt - maks: 600mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V, Frekvens - Overgang: 85GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz, Gevinst: 35dB, Effekt - maks: 75mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gevinst: 19.5dB, Effekt - maks: 160mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz, Gevinst: 13.5dB ~ 24.5dB, Effekt - maks: 125mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 46GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gevinst: 7dB ~ 30dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V, Frekvens - Overgang: 80GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz, Gevinst: 18.5dB, Effekt - maks: 75mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB @ 1.8GHz, Gevinst: 7dB, Effekt - maks: 1W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6.1V, Frekvens - Overgang: 1.85GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2.6dB @ 1.8GHz, Gevinst: 17dB, Effekt - maks: 1.5W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 7.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 12.5dB ~ 19dB, Effekt - maks: 700mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 19dB, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 1.4GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz, Effekt - maks: 280mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 42GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 27.5dB, Effekt - maks: 160mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 12dB ~ 18dB, Effekt - maks: 580mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 47GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gevinst: 9dB ~ 31dB, Effekt - maks: 160mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Gevinst: 23dB, Effekt - maks: 75mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 13.5dB ~ 20.5dB, Effekt - maks: 580mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 45GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Gevinst: 24dB, Effekt - maks: 80mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 11.5dB ~ 17dB, Effekt - maks: 280mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Gevinst: 15.5dB, Effekt - maks: 210mW,