Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 10dB ~ 15dB, Effekt - maks: 580mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 16dB, Effekt - maks: 280mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 40GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 12.5dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gevinst: 21dB, Effekt - maks: 160mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V, Frekvens - Overgang: 60GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz, Gevinst: 26dB, Effekt - maks: 120mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V, Frekvens - Overgang: 65GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 21.5dB, Effekt - maks: 185mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.8V, Frekvens - Overgang: 22GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz, Gevinst: 12.5dB ~ 26.5dB, Effekt - maks: 230mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 45GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 28.5dB, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 7.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB @ 900MHz, Gevinst: 9.7dB, Effekt - maks: 700mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 42GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 27dB, Effekt - maks: 160mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 30GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Gevinst: 21.5dB, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 7.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 16.5dB, Effekt - maks: 700mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 24GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Gevinst: 15.5dB, Effekt - maks: 450mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 19dB, Effekt - maks: 175mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 22dB, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 1.4GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz, Effekt - maks: 280mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Gevinst: 21.5dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 45GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gevinst: 8.5dB ~30.5dB, Effekt - maks: 160mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 17.5dB ~ 21dB, Effekt - maks: 175mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Gevinst: 23dB, Effekt - maks: 75mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 43GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gevinst: 11dB ~ 30.5dB, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gevinst: 12.5dB, Effekt - maks: 580mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 40GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 23dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz, Gevinst: 13.5dB ~ 25dB, Effekt - maks: 125mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 46GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gevinst: 8B ~ 30.5dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Gevinst: 15.5dB, Effekt - maks: 210mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 45GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gevinst: 10dB ~ 29dB, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V, Frekvens - Overgang: 65GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gevinst: 21dB ~ 10dB, Effekt - maks: 185mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gevinst: 9.5dB ~ 13.5dB, Effekt - maks: 380mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V, Frekvens - Overgang: 45GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Gevinst: 22.5dB, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, Frekvens - Overgang: 45GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 28dB, Effekt - maks: 100mW,
