Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 800MHz, Gevinst: 11dB ~ 14dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V, Frekvens - Overgang: 1.1GHz, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 800MHz, Gevinst: 11dB ~ 14dB, Effekt - maks: 125mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Frekvens - Overgang: 250MHz, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 800MHz, Gevinst: 13dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 300MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz, Effekt - maks: 125mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 230MHz, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 1.6GHz, Gevinst: 20dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.5dB @ 800MHz, Gevinst: 9dB ~ 12dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 650MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, Gevinst: 24dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 250MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB @ 800MHz, Gevinst: 7.5dB ~ 10dB, Effekt - maks: 1W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 650MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, Gevinst: 24dB, Effekt - maks: 125mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 250MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz, Effekt - maks: 125mW,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Frekvens - Overgang: 250MHz, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 230MHz, Effekt - maks: 125mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 250MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frekvens - Overgang: 650MHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, Gevinst: 24dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 1.9GHz, Effekt - maks: 125mW,