Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Gevinst: 20dB, Effekt - maks: 135mW,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Effekt - maks: 1W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz, Effekt - maks: 500mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 11GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Gevinst: 18dB, Effekt - maks: 450mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V, Frekvens - Overgang: 900MHz, Gevinst: 8dB, Effekt - maks: 2W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V, Frekvens - Overgang: 53GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz, Gevinst: 15.8dB, Effekt - maks: 160mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V, Frekvens - Overgang: 55GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz, Gevinst: 10dB ~ 24dB, Effekt - maks: 136mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Gevinst: 18.5dB, Effekt - maks: 450mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 11GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz, Gevinst: 21dB, Effekt - maks: 450mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz, Effekt - maks: 32mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 55GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 12GHz, Gevinst: 13dB, Effekt - maks: 136mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 360mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6.5V, Frekvens - Overgang: 15GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz, Gevinst: 15dB ~ 22dB, Effekt - maks: 188mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 365mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 8.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 270mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 8.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 250mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Effekt - maks: 360mW,