Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V, Frekvens - Overgang: 21GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz, Gevinst: 12dB ~ 21dB, Effekt - maks: 225mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz, Gevinst: 18dB, Effekt - maks: 450mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, Frekvens - Overgang: 4GHz, Effekt - maks: 1W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 10.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz, Gevinst: 20dB, Effekt - maks: 450mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V, Frekvens - Overgang: 43GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz, Effekt - maks: 136mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V, Frekvens - Overgang: 21GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz, Gevinst: 13dB ~ 22.5dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V, Frekvens - Overgang: 18GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz, Gevinst: 15.5dB ~ 18.5dB, Effekt - maks: 230mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8.5GHz, Gevinst: 8dB, Effekt - maks: 2W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 300mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V, Frekvens - Overgang: 70GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz, Gevinst: 10dB ~ 24dB, Effekt - maks: 136mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 300mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 75V, Frekvens - Overgang: 3.5GHz, Gevinst: 7dB, Effekt - maks: 200W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 75V, Frekvens - Overgang: 3.5GHz, Gevinst: 8dB, Effekt - maks: 80W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 75V, Frekvens - Overgang: 3.1GHz, Gevinst: 10dB, Effekt - maks: 145W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 75V, Frekvens - Overgang: 3.5GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 34W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Effekt - maks: 400mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V, Frekvens - Overgang: 900MHz, Effekt - maks: 2.1W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Frekvens - Overgang: 150MHz, Effekt - maks: 300mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz, Effekt - maks: 500mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz, Effekt - maks: 400mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz, Effekt - maks: 500mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2dB @ 1GHz, Effekt - maks: 500mW,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 500mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Effekt - maks: 2W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Effekt - maks: 300mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 18GHz, Effekt - maks: 600mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Gevinst: 23dB, Effekt - maks: 135mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Effekt - maks: 500mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Effekt - maks: 2.25W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Effekt - maks: 300mW,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 4GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz, Effekt - maks: 300mW,