Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single | Diskrete halvlederprodukter | 13

PH6030L,115

Dele Stock.: 8783

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 76.7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PMV40UN,215

Dele Stock.: 8809

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.9A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 2A, 4.5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PMV117EN,215

Dele Stock.: 8806

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 500mA, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PHB222NQ04LT,118

Dele Stock.: 5975

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PSMN050-80PS,127

Dele Stock.: 8849

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PSMN9R0-30LL,115

Dele Stock.: 8860

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 5A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PH3330L,115

Dele Stock.: 8809

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PMN23UN,165

Dele Stock.: 8896

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6.3A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 2A, 4.5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PH7030L,115

Dele Stock.: 8856

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 68A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PSMN005-55B,118

Dele Stock.: 8871

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PSMN9R0-30YL,115

Dele Stock.: 8865

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 61A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 15A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PMN34UN,135

Dele Stock.: 8835

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.9A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 2A, 4.5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PMN27UN,135

Dele Stock.: 8821

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 2A, 4.5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PSMN3R7-30YLC,115

Dele Stock.: 8861

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.95 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PH1955L,115

Dele Stock.: 8820

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PH5330E,115

Dele Stock.: 8822

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 15A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PH3830L,115

Dele Stock.: 8861

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 98A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PHT4NQ10LT,135

Dele Stock.: 8840

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.75A, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PH4830L,115

Dele Stock.: 8891

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 84A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PH6530AL,115

Dele Stock.: 8810

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PMN55LN,135

Dele Stock.: 8770

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 2.5A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PH5525L,115

Dele Stock.: 8807

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 25V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 81.7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PMN34LN,135

Dele Stock.: 8782

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 2.5A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PMF780SN,115

Dele Stock.: 8851

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 570mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 300mA, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

SI4410DY,518

Dele Stock.: 8888

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PMN23UN,135

Dele Stock.: 8810

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6.3A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 2A, 4.5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PMN25EN,115

Dele Stock.: 8849

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6.2A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PH4330L,115

Dele Stock.: 8819

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 95.9A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PHB146NQ06LT,118

Dele Stock.: 8826

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PHD36N03LT,118

Dele Stock.: 8865

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 43.4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PH9930L,115

Dele Stock.: 8815

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 63A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PH4025L,115

Dele Stock.: 8868

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 25V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 99A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PHK28NQ03LT,518

Dele Stock.: 8820

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 23.7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 14A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PHB101NQ04T,118

Dele Stock.: 8840

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PMF3800SN,115

Dele Stock.: 5954

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PMFPB6532UP,115

Dele Stock.: 8880

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 1A, 4.5V,

Ønskeseddel