Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single | Diskrete halvlederprodukter | 13

BUK968R3-40E,118

Dele Stock.: 9441

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK764R3-40B,118

Dele Stock.: 9438

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK7Y54-75B,115

Dele Stock.: 9451

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 75V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 21.4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK7Y35-55B,115

Dele Stock.: 9379

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 28.43A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 15A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK9618-55A,118

Dele Stock.: 9116

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 61A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK9E04-30B,127

Dele Stock.: 9040

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK7506-75B,127

Dele Stock.: 8848

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 75V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BSH205,215

Dele Stock.: 8830

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 12V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 750mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 430mA, 4.5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK9524-55A,127

Dele Stock.: 8825

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 46A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BSH112,235

Dele Stock.: 8798

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK9880-55A,115

Dele Stock.: 8884

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 8A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK7E07-55B,127

Dele Stock.: 5935

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK753R1-40B,127

Dele Stock.: 8810

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK9506-55B,127

Dele Stock.: 8845

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK9623-75A,118

Dele Stock.: 8887

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 75V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK6240-75C,118

Dele Stock.: 8827

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 75V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK7614-55A,118

Dele Stock.: 8843

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 73A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK754R3-75C,127

Dele Stock.: 5885

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 75V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK98150-55A,135

Dele Stock.: 8790

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 5A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK7510-55AL,127

Dele Stock.: 8857

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK9610-55A,118

Dele Stock.: 8807

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK9E3R2-40B,127

Dele Stock.: 8862

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK752R3-40C,127

Dele Stock.: 8793

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK7880-55,135

Dele Stock.: 8780

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 5A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK6207-30C,118

Dele Stock.: 8816

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK95150-55A,127

Dele Stock.: 5906

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 13A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK9832-55A,115

Dele Stock.: 8818

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 8A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK654R8-40C,127

Dele Stock.: 8786

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK7504-40A,127

Dele Stock.: 8853

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK6208-40C,118

Dele Stock.: 8809

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 15A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK7506-55B,127

Dele Stock.: 8810

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK9505-30A,127

Dele Stock.: 8836

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK9509-75A,127

Dele Stock.: 8842

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 75V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tj), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK9510-55A,127

Dele Stock.: 8858

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 55V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK652R7-30C,127

Dele Stock.: 8849

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

BUK652R0-30C,127

Dele Stock.: 8804

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel