Menu
DanskDansk
Rfqs / order.
0Rfqs / order.

Transistorer - bipolar (BJT) - enkelt, præ-f

  • Hjem
  •  
  • Transistorer - bipolar (BJT) - enkelt, præ-f
BCR 135F E6327
Infineon Technologies

BCR 135F E6327

Dele Stock.: 2128

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 10 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR158E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR158E6327HTSA1

Dele Stock.: 111325

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR562E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR562E6327HTSA1

Dele Stock.: 174692

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 500mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 4.7 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 4.7 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR198E6393HTSA1
Infineon Technologies

BCR198E6393HTSA1

Dele Stock.: 2061

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 47 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR 519 E6327
Infineon Technologies

BCR 519 E6327

Dele Stock.: 2048

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 500mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 4.7 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR 198T E6327
Infineon Technologies

BCR 198T E6327

Dele Stock.: 2013

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 70mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 47 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR166WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR166WE6327HTSA1

Dele Stock.: 2057

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 4.7 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR 162L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 162L3 E6327

Dele Stock.: 2049

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 4.7 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 4.7 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR141WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR141WE6327HTSA1

Dele Stock.: 2073

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 22 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 22 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR 119 E6433
Infineon Technologies

BCR 119 E6433

Dele Stock.: 2021

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 4.7 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR 129F E6327
Infineon Technologies

BCR 129F E6327

Dele Stock.: 2023

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 10 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR 133F B6327
Infineon Technologies

BCR 133F B6327

Dele Stock.: 1978

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 10 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 10 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR108WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR108WE6327BTSA1

Dele Stock.: 2069

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR 101T E6327
Infineon Technologies

BCR 101T E6327

Dele Stock.: 1992

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 50mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 100 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 100 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR505E6778HTSA1
Infineon Technologies

BCR505E6778HTSA1

Dele Stock.: 5409

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 500mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 10 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR503E6393HTSA1
Infineon Technologies

BCR503E6393HTSA1

Dele Stock.: 1955

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 500mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 2.2 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR183E6359HTMA1
Infineon Technologies

BCR183E6359HTMA1

Dele Stock.: 1981

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 10 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 10 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR192E6785HTSA1
Infineon Technologies

BCR192E6785HTSA1

Dele Stock.: 1986

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 22 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR148E6393HTSA1
Infineon Technologies

BCR148E6393HTSA1

Dele Stock.: 2004

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 47 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR135E6359HTMA1
Infineon Technologies

BCR135E6359HTMA1

Dele Stock.: 1907

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 10 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR133E6393HTSA1
Infineon Technologies

BCR133E6393HTSA1

Dele Stock.: 3211

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 10 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 10 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR 148W H6433
Infineon Technologies

BCR 148W H6433

Dele Stock.: 1910

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 47 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR 569 E6327
Infineon Technologies

BCR 569 E6327

Dele Stock.: 1861

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 500mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 4.7 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR 512 B6327
Infineon Technologies

BCR 512 B6327

Dele Stock.: 1858

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 500mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 4.7 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 4.7 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR 199T E6327
Infineon Technologies

BCR 199T E6327

Dele Stock.: 1876

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 70mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR 503 B6327
Infineon Technologies

BCR 503 B6327

Dele Stock.: 1882

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 500mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 2.2 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR 199F E6327
Infineon Technologies

BCR 199F E6327

Dele Stock.: 1910

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 70mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR 199L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 199L3 E6327

Dele Stock.: 1899

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 70mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR198WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR198WE6327BTSA1

Dele Stock.: 1924

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 47 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR 198F E6327
Infineon Technologies

BCR 198F E6327

Dele Stock.: 1931

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 47 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR 198L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 198L3 E6327

Dele Stock.: 1885

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 70mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 47 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR196WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR196WE6327HTSA1

Dele Stock.: 1922

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 70mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 47 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 22 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR198B6327HTLA1
Infineon Technologies

BCR198B6327HTLA1

Dele Stock.: 1860

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 47 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR 196T E6327
Infineon Technologies

BCR 196T E6327

Dele Stock.: 1855

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 70mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 47 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 22 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR 196F E6327
Infineon Technologies

BCR 196F E6327

Dele Stock.: 1930

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 70mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 47 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 22 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel
BCR 196L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 196L3 E6327

Dele Stock.: 1883

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 70mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 47 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 22 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel