Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single | Diskrete halvlederprodukter | 100

BSC077N12NS3GATMA1

Dele Stock.: 65236

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 120V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 13.4A (Ta), 98A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC028N06LS3GATMA1

Dele Stock.: 65607

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC010N04LSATMA1

Dele Stock.: 67627

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 38A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC082N10LSGATMA1

Dele Stock.: 64695

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 13.8A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 100A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC079N10NSGATMA1

Dele Stock.: 64794

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 13.4A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC011N03LSTATMA1

Dele Stock.: 7933

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 39A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC042NE7NS3GATMA1

Dele Stock.: 68216

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 75V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSS84PH6327XTSA2

Dele Stock.: 198347

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC037N08NS5ATMA1

Dele Stock.: 66017

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC016N06NSATMA1

Dele Stock.: 66087

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BUZ30AH3045AATMA1

Dele Stock.: 70894

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13.5A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSB280N15NZ3GXUMA1

Dele Stock.: 71053

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 150V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 30A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSB008NE2LXXUMA1

Dele Stock.: 77647

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 25V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 46A (Ta), 180A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSS123NH6327XTSA1

Dele Stock.: 157866

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 190mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 190mA, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC159N10LSFGATMA1

Dele Stock.: 76100

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Ta), 63A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.9 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC057N08NS3GATMA1

Dele Stock.: 98163

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSZ300N15NS5ATMA1

Dele Stock.: 7862

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 150V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 16A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC016N04LSGATMA1

Dele Stock.: 7912

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC100N10NSFGATMA1

Dele Stock.: 68262

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 11.4A (Ta), 90A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC028N06NSATMA1

Dele Stock.: 94889

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSS139H6327XTSA1

Dele Stock.: 152858

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 250V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 100µA, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC019N02KSGAUMA1

Dele Stock.: 80131

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 mOhm @ 50A, 4.5V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSP135H6906XTSA1

Dele Stock.: 73822

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120mA (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC030N08NS5ATMA1

Dele Stock.: 77669

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSB012NE2LXIXUMA1

Dele Stock.: 94888

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 25V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 170A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC028N06NSTATMA1

Dele Stock.: 7846

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC027N06LS5ATMA1

Dele Stock.: 81960

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC014N04LSATMA1

Dele Stock.: 7893

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC009NE2LS5IATMA1

Dele Stock.: 84635

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 25V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC011N03LSIATMA1

Dele Stock.: 7890

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 37A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC040N08NS5ATMA1

Dele Stock.: 82088

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC080P03LSGAUMA1

Dele Stock.: 5788

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 30A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC052N08NS5ATMA1

Dele Stock.: 90008

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 95A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 47.5A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSS209PWH6327XTSA1

Dele Stock.: 119115

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 630mA (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 630mA, 4.5V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSC360N15NS3GATMA1

Dele Stock.: 104054

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 150V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

Infineon Technologies

BSZ0500NSIATMA1

Dele Stock.: 89910

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 40A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel