Menu
DanskDansk
Rfqs / order.
0Rfqs / order.

Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single

  • Hjem
  •  
  • Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single
BSC0906NSATMA1
Infineon Technologies

BSC0906NSATMA1

Dele Stock.: 186905

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 63A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel
BSZ068N06NSATMA1
Infineon Technologies

BSZ068N06NSATMA1

Dele Stock.: 182964

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel
BSC090N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC090N03LSGATMA1

Dele Stock.: 170812

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 48A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel
BSC014N04LSTATMA1
Infineon Technologies

BSC014N04LSTATMA1

Dele Stock.: 16515

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 33A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel
BSZ086P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies

BSZ086P03NS3EGATMA1

Dele Stock.: 16570

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Ta), 40A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel
BSC014N04LSIATMA1
Infineon Technologies

BSC014N04LSIATMA1

Dele Stock.: 61407

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel
BSC160N15NS5ATMA1
Infineon Technologies

BSC160N15NS5ATMA1

Dele Stock.: 72783

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 150V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 28A, 10V,

Ønskeseddel
BSC026NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies

BSC026NE2LS5ATMA1

Dele Stock.: 154580

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 25V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), 82A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel
BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies

BSC0901NSATMA1

Dele Stock.: 16599

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel
BSZ088N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ088N03LSGATMA1

Dele Stock.: 162357

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 40A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel
BSZ0589NSATMA1
Infineon Technologies

BSZ0589NSATMA1

Dele Stock.: 152540

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 8A, 10V,

Ønskeseddel
BSC020N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSC020N03MSGATMA1

Dele Stock.: 118300

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel
BSC036NE7NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSC036NE7NS3GATMA1

Dele Stock.: 50526

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 75V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel
BSC010N04LSTATMA1
Infineon Technologies

BSC010N04LSTATMA1

Dele Stock.: 16526

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 39A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel
BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies

BSC097N06NSATMA1

Dele Stock.: 179136

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 46A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 40A, 10V,

Ønskeseddel
BSC900N20NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSC900N20NS3GATMA1

Dele Stock.: 16593

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 15.2A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 7.6A, 10V,

Ønskeseddel
BSZ165N04NSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ165N04NSGATMA1

Dele Stock.: 16510

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8.9A (Ta), 31A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel
BSC130P03LSGAUMA1
Infineon Technologies

BSC130P03LSGAUMA1

Dele Stock.: 16579

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 22.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 22.5A, 10V,

Ønskeseddel
BSZ0909NSATMA1
Infineon Technologies

BSZ0909NSATMA1

Dele Stock.: 159981

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 34V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 36A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel
BSZ088N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ088N03MSGATMA1

Dele Stock.: 143671

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 40A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel
BSB014N04LX3GXUMA1
Infineon Technologies

BSB014N04LX3GXUMA1

Dele Stock.: 16560

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), 180A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel
BSZ018NE2LSIATMA1
Infineon Technologies

BSZ018NE2LSIATMA1

Dele Stock.: 16507

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 25V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 40A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel
BSC882N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC882N03LSGATMA1

Dele Stock.: 146645

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 34V, Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel
BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies

BSZ075N08NS5ATMA1

Dele Stock.: 125045

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel
BSB013NE2LXIXUMA1
Infineon Technologies

BSB013NE2LXIXUMA1

Dele Stock.: 16579

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 25V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), 163A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel
BSC024NE2LSATMA1
Infineon Technologies

BSC024NE2LSATMA1

Dele Stock.: 16599

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 25V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel
BSC025N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSC025N03MSGATMA1

Dele Stock.: 143497

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta). 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel
BSC120N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC120N03LSGATMA1

Dele Stock.: 105622

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 39A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel
BSC034N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC034N03LSGATMA1

Dele Stock.: 197142

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel
BSC017N04NSGATMA1
Infineon Technologies

BSC017N04NSGATMA1

Dele Stock.: 16503

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel
BSB028N06NN3GXUMA1
Infineon Technologies

BSB028N06NN3GXUMA1

Dele Stock.: 16573

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 90A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel
BSC030N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC030N03LSGATMA1

Dele Stock.: 181445

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel
BSZ100N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ100N03MSGATMA1

Dele Stock.: 155577

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 40A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel
BSP320SH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP320SH6327XTSA1

Dele Stock.: 127092

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Tj), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

Ønskeseddel
BSC060N10NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSC060N10NS3GATMA1

Dele Stock.: 71214

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 14.9A (Ta), 90A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel
BUZ73L
Infineon Technologies

BUZ73L

Dele Stock.: 92

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.5A, 5V,

Ønskeseddel