Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single

Hjem
Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single

Global Power Technologies Group

GP2M013A050F

Dele Stock.: 1959

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 6.5A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M008A025HG

Dele Stock.: 1873

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 250V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M004A065HG

Dele Stock.: 1951

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M008A060FGH

Dele Stock.: 6209

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M016A060FH

Dele Stock.: 1940

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 8A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M008A060FG

Dele Stock.: 5621

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M010A060F

Dele Stock.: 32123

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M012A060FH

Dele Stock.: 1939

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M005A050FSH

Dele Stock.: 1924

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M004A060PG

Dele Stock.: 46389

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M003A050HG

Dele Stock.: 6265

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 1.25A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M005A040CG

Dele Stock.: 1881

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 400V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 1.7A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M005A060PG

Dele Stock.: 6233

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 2.1A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M016A060F

Dele Stock.: 1922

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 8A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M012A080NG

Dele Stock.: 1876

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M015A050FH

Dele Stock.: 1894

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 7A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M023A050N

Dele Stock.: 1937

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 11.5A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M009A050FSH

Dele Stock.: 1891

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.25A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M004A090H

Dele Stock.: 1867

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M002A060FG

Dele Stock.: 1868

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M004A065CG

Dele Stock.: 1924

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M002A065FG

Dele Stock.: 5692

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 Ohm @ 900mA, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M005A050H

Dele Stock.: 1868

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65 Ohm @ 2.25A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M012A060H

Dele Stock.: 1906

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M008A080H

Dele Stock.: 1867

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M005A060PGH

Dele Stock.: 1885

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 2.1A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M009A050HS

Dele Stock.: 1869

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.25A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M008A025FG

Dele Stock.: 1915

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 250V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M004A090FH

Dele Stock.: 1849

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M010A065H

Dele Stock.: 1927

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820 mOhm @ 4.75A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M020A060N

Dele Stock.: 1967

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M004A060FG

Dele Stock.: 1891

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M009A090H

Dele Stock.: 1898

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M009A020FG

Dele Stock.: 1886

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M005A050CH

Dele Stock.: 1841

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65 Ohm @ 2.25A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M004A060CG

Dele Stock.: 6282

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

133

«
1
2
3
4
»