Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single | Diskrete halvlederprodukter | 4

GP2M004A065FG

Dele Stock.: 1889

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M004A060HG

Dele Stock.: 1881

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M020A060N

Dele Stock.: 6248

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M003A080H

Dele Stock.: 1885

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M011A050HS

Dele Stock.: 1850

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M005A050HS

Dele Stock.: 1901

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M020A060M

Dele Stock.: 1916

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M009A090NG

Dele Stock.: 1918

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M008A050HG

Dele Stock.: 1960

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M003A090PH

Dele Stock.: 1956

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M005A040PG

Dele Stock.: 1907

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 400V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 1.7A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M020A050N

Dele Stock.: 28613

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M008A060PGH

Dele Stock.: 1899

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M009A060H

Dele Stock.: 1933

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 4.5A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M004A065PG

Dele Stock.: 1880

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 2A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M018A020CG

Dele Stock.: 1913

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 9A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M005A050HG

Dele Stock.: 1935

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.25A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M010A060H

Dele Stock.: 1950

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M006A065CH

Dele Stock.: 1862

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M018A020FG

Dele Stock.: 1939

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 9A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M006A065PH

Dele Stock.: 1875

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M008A060PG

Dele Stock.: 1919

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M006A065F

Dele Stock.: 1887

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M009A020CG

Dele Stock.: 1941

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M008A025CG

Dele Stock.: 1900

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 250V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M009A090FH

Dele Stock.: 1901

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M012A060F

Dele Stock.: 1925

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M007A090H

Dele Stock.: 1959

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M008A025PG

Dele Stock.: 1935

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 250V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M003A050CG

Dele Stock.: 1922

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 1.25A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M012A060H

Dele Stock.: 1918

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP2M009A090FG

Dele Stock.: 6240

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M006A070FH

Dele Stock.: 6270

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 700V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65 Ohm @ 2.5A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M008A050FG

Dele Stock.: 1931

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M016A025HG

Dele Stock.: 1961

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 250V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 8A, 10V,

Ønskeseddel

Global Power Technologies Group

GP1M016A060N

Dele Stock.: 1952

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 8A, 10V,

Ønskeseddel