Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gevinst: 10dB, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Gevinst: 14dB ~ 16dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gevinst: 11dB, Effekt - maks: 180mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 2GHz, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz, Gevinst: 6.5dB ~ 12.5dB, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 14GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.6dB @ 2GHz, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gevinst: 10.2dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V, Frekvens - Overgang: 11GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz, Effekt - maks: 90mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz, Gevinst: 5.3dB ~ 12.5dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 125mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gevinst: 9.6dB, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 125mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Gevinst: 7dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gevinst: 13.5dB, Effekt - maks: 205mW,
