Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gevinst: 7.5dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 14.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V, Frekvens - Overgang: 25GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Gevinst: 18dB, Effekt - maks: 115mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Frekvens - Overgang: 5.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Gevinst: 7dB, Effekt - maks: 2W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gevinst: 11.5dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 11GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1GHz, Gevinst: 13.5dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 5.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz, Gevinst: 10dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gevinst: 13dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 2W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 15GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gevinst: 15dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gevinst: 9.6dB, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 2GHz, Effekt - maks: 90mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 140mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 130mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gevinst: 11dB, Effekt - maks: 125mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Gevinst: 14dB ~ 16dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 10GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gevinst: 9.4dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 125mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 9GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 14dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 7GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gevinst: 9dB, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 12GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: PNP, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 130mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Gevinst: 8.3dB, Effekt - maks: 2W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 4.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Frekvens - Overgang: 15GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gevinst: 16dB, Effekt - maks: 205mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 6.5GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gevinst: 12dB, Effekt - maks: 1.2W,