| Type | Beskrivelse |
| Delstatus | Not For New Designs |
|---|---|
| FET-type | N-Channel |
| Teknologi | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Afløb til kildespænding (Vdss) | 650V |
| Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Drevspænding (maks. Rds til, min rds til) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 14A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 8V |
| Vgs (maks.) | ±18V |
| Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds | 760pF @ 400V |
| FET-funktion | - |
| Effektdissipation (maks.) | 96W (Tc) |
| Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype | Surface Mount |
| Leverandørens enhedspakke | 3-PQFN (8x8) |
| Pakke / kasse | 3-PowerDFN |
| Rohs Status. | Rohs-kompatible |
|---|---|
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL) | Ikke anvendelig |
| LifeCycle Status. | Forældet / slutningen af livet |
| Lagerkategorien | Tilgængelig Stock. |
